【摘要】本文结合作者多年的印制板设计经验，着重印制板的电气性能，从印制板稳定性、可靠性方面，来讨论多层印制板设计的基本要求。【关键词】印制电路板；表面贴装器件；高密度互连；通孔【Key words】Printed Circuit Board；Surface Mounting Device；High Density Interface；Via一．概述印制板（PCB－Printed Circuit Board）也叫印制电路板、印刷电路板。多层印制板，就是指两层以上的印制板，它是由几层绝缘基板上的连接导线和装配焊接电子元件用的焊盘组成，既具有导通各层线路，又具有相互间绝缘的作用。随着SMT（表面安装技术）的不断发展，以及新一代SMD（表面安装器件）的不断推出，如QFP、QFN、CSP、BGA（特别是MBGA），使电子产品更加智能化、小型化，因而推动了PCB工业技术的重大改革和进步。自1991年IBM公司首先成功开发出高密度多层板（SLC）以来，各国各大集团也相继开发出各种各样的高密度互连（HDI）微孔板。这些加工技术的迅猛发展，促使了PCB的设计已逐渐向多层、高密度布线的方向发展。多层印制板以其设计灵活、稳定可靠的电气性能和优越的经济性能，现已广泛应用于电子产品的生产制造中。下面，作者以多年设计印制板的经验，着重印制板的电气性能，结合工艺要求，从印制板稳定性、可靠性方面，来谈谈多层制板设计的基本要领。
上传时间： 2013-11-19
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电路如果存在不稳定性因素，就有可能出现振荡。本文对比分析了传统LDO和无片电容LDO的零极点，运用电流缓冲器频率补偿设计了一款无片外电容LDO，电流缓冲器频率补偿不仅可减小片上补偿电容而且可以增加带宽。对理论分析结果在Cadence平台基上于CSMC0.5um工艺对电路进行了仿真验证。本文无片外电容LDO的片上补偿电容仅为3 pF，减小了制造成本。它的电源电压为3.5~6 V，输出电压为3.5 V。当在输入电源电压6 V时输出电流从100 μA到100 mA变化时，最小相位裕度为830，最小带宽为4.58 MHz
上传时间： 2014-12-24
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无到有电源的过程（制造），全程。
上传时间： 2013-11-21
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基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变正温度电压的系数，以适应不同工艺下负温度系数的变化，最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz时电源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz时（PSRR）达到-64 dB；在4 V电源电压下，在-40～80 ℃范围内的不同工艺角下，温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。
上传时间： 2014-12-03
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锂离子正极电池材料 1. 目前主要的技术工艺制法： 1.1. 高温固相反应法：高温固相反应法是以FeC2O4·2H2O，(NH4)H2PO4，Li2CO3等为原料，按LiFePO4的化学组成配料研磨混合均匀，在惰性气氛（如Ar，N2）的保护下高温焙烧反应制得。目前，由于高温固相反应法存在合成温度高、粒径分布大、颗粒粗大等缺点，极大地限制了L iFePO4的电化学性能。 1.2. 溶胶——凝胶合成法：溶胶——凝胶法以三价铁的醋酸盐或硝酸盐为原料，按化学计量加入LiOH后加入柠檬酸，然后再将其加入到H3PO4中，用氨水调节pH，加热至60℃得到凝胶，加热使凝胶分解，高温烧结得到LiFePO4。溶胶——凝胶法的优点是前驱体溶液化学均匀性好，凝胶热处理温度低，粉体颗粒粒径小而且分布窄，粉体烧结性能好，反应过程易于控制，设备简单；但是在干燥时收缩大，工业化生产难度较大，合成周期较长。
上传时间： 2013-11-16
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晶片wafer 平面工艺详细介绍
上传时间： 2013-11-21
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很全面的实验指导，无锡工艺单片机实验指导书。
上传时间： 2013-11-15
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EM78P173N义隆单片机开发 台湾义隆IC－EM78P173N是台湾义隆公司采用高速CMOS工艺制造的8位单片机
上传时间： 2013-11-25
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AT93C46/56/66是Atmel公司生产的低功耗、低电压、电可擦除、可编程只读存储器，采用CMOS工艺技术制造并带有３线串行接口，其容量分别为1kB/4kB，可重复写100万次，数据可保存100年以上。文中介绍了该存储器的引脚功能和指令时序，给出了AT93C46/56/66和单片机的接口应用电路和软件程序。
上传时间： 2013-11-18
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描述P89C660/662/664/668单片机内带6KB/32KB/64KB/64KB Flash存储器,该存储器既可并行编程也可以串行在系统编程(ISP).在实际的成型产品中,可通过ISP升级用户程序. 在Boot ROM程序中可通过一个默认的串行下载器(UART)对Flash存储器作ISP编程,而在Flash代码区中并不需要有调用下载器的代码,用户程序可通过调用在Boot ROM中的标准子程对Flash存储器擦写和再编程(即IAP). 该器件在6个时钟周期内执行一条指令,是传统的80C51的两倍.一个OTP结构位让用户选择传统的12个时钟周期. 该器件用advanced CMOS工艺制造,是80C51单片机家族的衍生品.其指令集和80C51相同. 该器件有四个8位I/O口,三个16位定时器/事件计数器,多中断源,四个优选级,可嵌套中断结构,一个增强型UART和片内振荡器以及时序电路. P89C660/662/664/668新增特性使其成为一个功能强大的单片机,为某些应用提供PWM,高速的I/O和加/减计数,如汽车控制.
上传时间： 2013-10-10
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