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高电源抑制技术是现代电子设计中不可或缺的关键要素，专为减少电源噪声对电路性能的影响而设计。本页面汇集了16398个精选资源，涵盖从基础理论到高级应用的全方位知识体系，帮助您深入理解PSRR（电源抑制比）优化策略及其在模拟信号链、精密测量系统及便携式设备中的实际运用。无论您是初学者还是资深工程师，这里都是提升技能、解决复杂问题的理想平台。立即探索，开启您的专业成长之旅！

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介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在...

📅 👤 thesk123
CMOS 高电源抑制 带隙基准 电压源

基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变...

📅 👤 88mao
CMOS 高电源抑制 工艺 基准电压源

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