一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源 - 免费下载
电源技术资源
文件大小：735 K
📋 资源详细信息
💡 温馨提示：本资源由用户 helibing 上传分享，仅供学习交流使用。如有侵权，请联系我们删除。
资源简介
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变正温度电压的系数，以适应不同工艺下负温度系数的变化，最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz时电源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz时（PSRR）达到-64 dB；在4 V电源电压下，在-40～80 ℃范围内的不同工艺角下，温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。
立即下载此资源
提示：下载后请用压缩软件解压，推荐使用 WinRAR 或 7-Zip
资源说明
下载说明
- 下载需消耗 2积分
- 24小时内重复下载不扣分
- 支持断点续传
- 资源永久有效
使用说明
- 下载后用解压软件解压
- 推荐 WinRAR 或 7-Zip
- 如有密码请查看说明
- 解压后即可使用
积分获取
- 上传资源获得积分
- 每日签到免费领取
- 邀请好友注册奖励
- 查看详情 →