单光子雪崩二极管
IEEE 文献 Fully Integrated Single Photon Avalanche Diode Detector in Standard CMOS 0.18-μm Technology...
雪崩二极管技术资料
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雪崩二极管是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。
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采用小波变换技术实现雪崩光电二极管信号的高精度检测，提升噪声抑制与特征提取能力，适用于高速光通信系统中的信号分析与处理。...
单光子雪崩二极管猝熄电路的发展
单光子雪崩二极管（SPAD）是工作在击穿电压上的雪崩二极管（APD）。对于极弱光学信号的探测，例如超高音速飞行器早期预警的应用，SPAD可能是理想的探测器选择。...
硅雪崩二极管光子辐射特性的实验研究
硅雪崩二极管光子辐射特性的实验研究 摘 要 利用计数统计测量的方法,对工作在击穿状态下的硅雪崩光电二极管(APD)光子辐射的暂态特性以及...
电倍增管和雪崩光电二极管的区别
光电二极管是利用的半导体的能带理论，当光照射光电二极管时，光的能量大于带隙能量时，价电子带的电子受到激励向导带运动，原来的价电子就留下空穴。这样在P区、N区及耗尽层就产生电子－空穴对。在耗尽层电场作用下电子向N区、空穴向P区加速运动，这样使得P区带正电，N区带负电，各自向对方的电极方向运动（漂移），...
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