击穿
击穿技术是电子工程领域中关键的安全与性能评估手段，广泛应用于半导体器件、绝缘材料及高压电气设备的设计与测试。通过深入理解击穿机制，工程师能够有效提升产品可靠性与使用寿命。本页面汇集了29个精选资源，涵盖理论分析、实验方法及案例研究，为专业人员提供全面的学习资料与实用工具，助力您在电力电子、微电子制造...
资源总数
500
击穿 热门资料
查看全部 500 份 →电磁炉IGBT管击穿原因
电磁炉烧坏IGBT 功率管的八种因素在电磁炉维修中，功率管的损坏占有相当大的比例，若在没有查明故障原因的情况下贸然更换功率管会引起再次烧毁。一：谐振电容和滤波电容损坏0.3uF/1200V 谐振电容、5uF/400V 滤波电容损坏或容量不足...
2022-06-22
9
p-n结的隧道击穿模型研究
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量 研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用...
2013-10-31
191
MOS管被静电击穿的原因分析
MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。
2022-12-24
3
变压器交流耐压试验击穿原因分析
变压器交流耐压试验击穿原因分析 摘 要:分析南充电业局河东站110 kV Ⅰ号主变110 kV 侧和35 kV 侧交流耐压试验击穿现象,查找击穿
2023-10-21
5
单片机控制绝缘油击穿电压测试仪
研制了采用AT89C51单片机的绝缘油击穿电压测试仪,提高了仪器的自动化程度和测试数据的准确性,介绍了仪器的硬件组成和软件设计,说明了系统的工作过程,分析了测量误差和减小误差的措施.
2024-10-21
7
一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用...
2013-10-18
113