一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。 ...
击穿技术资料
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击穿技术是电子工程领域中关键的安全与性能评估手段，广泛应用于半导体器件、绝缘材料及高压电气设备的设计与测试。通过深入理解击穿机制，工程师能够有效提升产品可靠性与使用寿命。本页面汇集了29个精选资源，涵盖理论分析、实验方法及案例研究，为专业人员提供全面的学习资料与实用工具，助力您在电力电子、微电子制造等行业中掌握核心竞争力。立即访问，开启您的技术探索之旅！
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查看全部29个资源 »雪崩击穿与齐纳击穿
雪崩击穿与齐纳击穿的区别...
p-n结的隧道击穿模型研究
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量 研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意...
电磁炉IGBT管击穿原因
电磁炉烧坏IGBT 功率管的八种因素在电磁炉维修中，功率管的损坏占有相当大的比例，若在没有查明故障原因的情况下贸然更换功率管会引起再次烧毁。一：谐振电容和滤波电容损坏0.3uF/1200V 谐振电容、5uF/400V 滤波电容损坏或容量不足若0.3uF/1200V 谐振电容、5uF/400V 滤波电...
高压变频器前侧逆变晶闸管自供电驱动系统研究与设计.rar
随着电力电子技术的发展，高压换流设备在工业应用中日益广泛。其核心元件晶闸管（SCR）的电压与电流越来越高（已达到10KV/10KA以上），应用场合要求也越来越高。在国际上，晶闸管的光控技术发展日益成熟。根据对国内晶闸管技术发展前景和需求的展望，本文采用自供电驱动技术与光控技术相结合，研发光控自供电晶...
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