击穿
共 69 篇文章
击穿 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 69 篇文章，持续更新中。
环境规范化
高功率电磁脉冲辐射下半导体器件的击穿效应 硕士学位论文
TVS
TVS管中文参数介绍（最小击穿电压VBR和击穿电流IR、最大反向漏电流ID和额定反向切断电压VRWM、最大钳位电压VC和最大峰值脉冲电流Ippm、额定脉冲功率PPP、电容器量C、钳位时间Tc、温度系数）
05PV8A内嵌EEPROM的工艺和制程方法
单片微型机(SingleChipMicrocomputer)，简称单片机，又称微控制器(MCU-MicroControllerUnit)，具有体积小、功能强、性能全面、成本低、使用方便等特点，在家用电器、汽车工业、工业控制、自动化等很多领域得到了广泛的应用。MC68HC(8)05PV8/A单片机属于MOTOROLA单片机中的68HC05家族8bit系列，是专门为汽车电子中的低功耗、单片上系统设计。
单片机控制绝缘油击穿电压测试仪
研制了采用AT89C51单片机的绝缘油击穿电压测试仪,提高了仪器的自动化程度和测试数据的准确性,介绍了仪器的硬件组成和软件设计,说明了系统的工作过程,分析了测量误差和减小误差的措施.
期刊论文：基于DSP的无速度传感器矢量控制系统中感应电机参数自检测方法研究
·论文摘要：本文介绍一个基于微机的新型电磁线击穿电压自动测量系统，可实现同时对5个电磁线试样的击穿电压的连续自动测量。
2.45GHz高线性功率放大器设计
本文基于SMIC 0.18um RF-CMOS 工艺，以Agilent-ADS 为仿真平台实现了一种工作于2.45GHz 功率放大器的设计，仿真结果表明ADS 软件在建模和仿真分析方面表现出很好的性能。电路采用两级放大的结构，分别采用自偏置技术和电阻并联负反馈网络来缓解CMOS 器件低击穿电压的限制，同时保证了稳定性的要求。为了提高线性，采用了一种集成的二极管线性化电路对有源器件的输入电容变化提供
保护电路
保护原件免受击穿，是整体功能正常运行，达到更好的效果
弧焊逆变电源单片机控制系统的稳定
TIG(Tungsten Inert Gas)焊是一种高质量的焊接方法,它以其焊接过程稳定、易于控制、焊接质量高等优点已被广泛应用,随着TIG焊的推广,TIG焊电源也得到了不断的发展.然而,在这发展过程中,所面临的棘手问题就是高频引弧和稳弧的电磁干扰问题.TIG焊一般采用非接触引弧,实现方式很多,主要有高压脉冲引弧和高频引弧.但由于高频引弧器引弧成功率高、制造简单和成本低廉,是目前在TIG焊电源中
铅酸蓄电池硫酸盐化的解决方案
对铅酸蓄电池不可逆硫酸盐化的解决方案，脉冲谐波谐振的方法。从固体物理上来讲，任何绝缘层在足够高的电压下都可以击穿。一旦绝缘层被击穿，粗大的硫酸铅就会呈现导电状态。
开关电源的安全及EMC设计
开关电源的安全及EMC设计
基于EMC 的ESD 防护设计静电问题是一直困扰电子产品的问题，静电放电导致 ... 经验
认为，每千伏的静电电压击穿距离在1mm 左右，因此PCB 器件，走线
高压电动机定子绕组匝间绝缘方法
为解决高压电动机定子绕组匝间绝缘薄弱的问题，分析了高压电动机定子绕组故障的原因，提出了提高定子绕组匝间绝缘性能的理论依据，研究了用聚酞亚胺薄膜绕包电磁线以提高匝间绝缘击穿强度及抗褶裂的方法，用试验数据
变压器出口短路后电气试验的探讨
在大短路电流作用下，机械损伤的基本形式是变压器绕组变形，它们发展的典型方式是变形引起局部放电，匝、层间短路，整段主绝缘放电或完全击穿导致主绝缘破坏。因此，变压器出口短路后的检测试验一项必要的关系到运行
同轴结构微波灭菌装置电磁特性模拟
<P>根据细胞电穿孔机理，当外加电场达106 V/m，细胞膜将被击穿，内部物质外泄导致细胞灭亡。以微波生物效应、电磁场集中理论为指导，采用CST软件模拟分析2 450 MHz，λ/4同轴腔形式的微波灭
钽电容器和独石电容器应用中的失效分析
钽电容器和独石电容器应用中的失效分析 <BR>樊晓团 胡圣 西安微电子技术研究所（西安710054） <BR>1前言 <BR> 对于有极性的钽电容器来说，人们最容易想到的是极性接反引起的击穿失效。通
变压器交流耐压试验击穿原因分析
<P>变压器交流耐压试验击穿原因分析</P>
<P>摘 要:分析南充电业局河东站110 kV Ⅰ号主变110 kV 侧和35 kV 侧交流耐压试验击穿现象,查找击穿
硅雪崩二极管光子辐射特性的实验研究
<P>硅雪崩二极管光子辐射特性的实验研究</P>
<P>摘 要 利用计数统计测量的方法,对工作在击穿状态下的硅雪崩光电二极管(APD)光子辐射的<BR>暂态特性以及
航天器大气环境模拟用高压大功率电弧加热器电源系统研究.rar
为了提高我国航天研究的技术水平，研制安全可靠、重复性强、控制品质优良、适应性和自动控制性能出色的电弧加热器装置具有重要的战略意义。本论文以国内容量最大、世界第四位的航天器大气环境模拟用63MW高压大功率电弧加热器电源系统为载体，围绕高压大功率电弧电源的研制开展研究。本文主要开展了如下一些工作： 研究了电弧加热器系统的工作参数分布，提出了额定输出63MW的高压大功率叠桥相移组合晶闸管电源系统方案，由
高压变频器前侧逆变晶闸管自供电驱动系统研究与设计.rar
随着电力电子技术的发展，高压换流设备在工业应用中日益广泛。其核心元件晶闸管（SCR）的电压与电流越来越高（已达到10KV/10KA以上），应用场合要求也越来越高。在国际上，晶闸管的光控技术发展日益成熟。根据对国内晶闸管技术发展前景和需求的展望，本文采用自供电驱动技术与光控技术相结合，研发光控自供电晶闸管驱动控制板，然后与晶闸管本体相结合即形成光控晶闸管工程化实现模型，其可作为光控晶闸管的替代技术。
真空开关真空度检测及寿命评估研究.rar
真空开关是电力系统中重要的控制和保护设备。真空灭弧室是为真空开关提供绝缘和灭弧性能优异的真空环境的重要部件。研究和实践均表明，保证真空灭弧室具有足够的真空度，即至少达到1.33×10-2Pa，是实现真空开关可靠运行的前提条件。然而，真空开关真空度会随着运行和存放时间的增加而劣化，存在一个有限的真空寿命。实施真空度检测，确保真空开关在其真空寿命内运行，是真空开关检修和维护的重要内容。针对目前真空度检
常用整流二极管型号
<p>整流二极管是一种能够将交流电能转化成为直流电能的半导体器件，整流二极管具有明显的</p><p>单向导电性，是一种大面积的功率器件，结电容大，工作频率较低，一般在几十千赫兹，反</p><p>向电压从25V 到3000V.</p><p>硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好，通常高压大功率整流二极管都</p><p>用高纯单晶硅制造，这种器件结面积大，能通过较大电流（通常可以达到数千