📚 击穿技术资料

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击穿技术是电子工程领域中关键的安全与性能评估手段，广泛应用于半导体器件、绝缘材料及高压电气设备的设计与测试。通过深入理解击穿机制，工程师能够有效提升产品可靠性与使用寿命。本页面汇集了29个精选资源，涵盖理论分析、实验方法及案例研究，为专业人员提供全面的学习资料与实用工具，助力您在电力电子、微电子制造等行业中掌握核心竞争力。立即访问，开启您的技术探索之旅！

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电磁炉烧坏IGBT 功率管的八种因素在电磁炉维修中，功率管的损坏占有相当大的比例，若在没有查明故障原因的情况下贸然更换功率管会引起再次烧毁。一：谐振电容和滤波电容损坏0.3uF/1200V 谐振电容、5uF/400V 滤波电容损坏或容量不足若0.3uF/1200V 谐振电容、5uF/400V 滤波电...

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电磁炉 igbt

在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量 研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意...

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p-n 隧道 击穿 模型研究

MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。...

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MOS管 静电击穿

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