📚 雪崩击穿技术资料

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雪崩击穿是半导体器件中一种重要的物理现象，当反向电压达到一定值时，少数载流子在强电场作用下加速并碰撞产生大量电子-空穴对，导致电流急剧增加。该技术广泛应用于高压整流器、稳压管及保护电路设计中。深入理解雪崩击穿机制对于提升电力电子设备性能至关重要。本页面汇集了44个精选资源，涵盖理论分析与实际应用案例，助力工程师掌握这一关键技术，优化产品设计。

🔥 雪崩击穿热门资料

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雪崩击穿与齐纳击穿

雪崩击穿与齐纳击穿的区别...

📅 2013-11-18 👤 linyao

雪崩击穿击穿齐纳

一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。 ...

📅 2013-10-18 👤 603100257

LDMOS 射频集成电路击穿

p-n结的隧道击穿模型研究

在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意...

📅 2013-10-31 👤 summery

p-n 隧道击穿模型研究