雪崩击穿与齐纳击穿
雪崩击穿与齐纳击穿的区别...
雪崩技术资料
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雪崩技术，作为半导体器件中的一种重要现象，广泛应用于光电探测器、高速开关及保护电路等领域。掌握雪崩效应对于设计高性能电子设备至关重要，特别是在需要高灵敏度和快速响应的应用场景下。本页面汇集了16个精选资源，涵盖理论分析到实际应用案例，为电子工程师提供全面的学习资料和技术支持，助力您深入理解并有效利用雪崩效应提升产品性能。
🔥 雪崩热门资料
查看全部16个资源 »简单的基于DES的加密算法及雪崩效应分析。请仔细阅读内附的说明文件。
简单的基于DES的加密算法及雪崩效应分析。请仔细阅读内附的说明文件。...
雪崩光电二极管APD的偏压产生电路。偏压调节范围30V~71V。
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DES加密的雪崩效应分析
DES加密的雪崩效应分析，按照作业要求做的。...
TVS的特性及主要参数 1、TVS的特性曲线TVS的电路符号与普通稳压二极管相同。它的正向特性与普通二极管相同；反向特性为典型的PN结雪崩器件。在瞬态峰值脉冲电流作用下
TVS的特性及主要参数 1、TVS的特性曲线TVS的电路符号与普通稳压二极管相同。它的正向特性与普通二极管相同；反向特性为典型的PN结雪崩器件。在瞬态峰值脉冲电流作用下，流过TVS的电流，由原来的反向漏电流...
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