硅雪崩二极管光子辐射特性的实验研究
硅雪崩二极管光子辐射特性的实验研究 摘 要 利用计数统计测量的方法,对工作在击穿状态下的硅雪崩光电二极管(APD)光子辐射的暂态特性以及...
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IEEE 文献 Fully Integrated Single Photon Avalanche Diode Detector in Standard CMOS 0.18-μm Technology...
雪崩光电二极管检测
采用小波变换技术实现雪崩光电二极管信号的高精度检测，提升噪声抑制与特征提取能力，适用于高速光通信系统中的信号分析与处理。...
单光子雪崩二极管猝熄电路的发展
单光子雪崩二极管（SPAD）是工作在击穿电压上的雪崩二极管（APD）。对于极弱光学信号的探测，例如超高音速飞行器早期预警的应用，SPAD可能是理想的探测器选择。...
电倍增管和雪崩光电二极管的区别
光电二极管是利用的半导体的能带理论，当光照射光电二极管时，光的能量大于带隙能量时，价电子带的电子受到激励向导带运动，原来的价电子就留下空穴。这样在P区、N区及耗尽层就产生电子－空穴对。在耗尽层电场作用下电子向N区、空穴向P区加速运动，这样使得P区带正电，N区带负电，各自向对方的电极方向运动（漂移），...
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