为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间： 2013-10-21
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线束导通检测与管线气密检测系统是一种保证线束质量和可靠性以及管线密闭性的最基本测试仪器，它可以剔除大量线束连接中出现的短路、断路、误配线和接触不良等故障，也可以用于检测管线的气密性是否符合实际生产要求，从而提高相关工业产品的质量及稳定性。 本文详细介绍了线束导通检测与管线气密检测系统的硬件制作及软件设计。论文首先阐述了课题背景和线束导通检测与管线气密检测装置发展的国内外现状，同时对线束测试的基本原理和几种常见的失效模式进行了分析。随后详细介绍本系统的总体设计方案和设计思路以及系统的结构组成。文章主体主要分为三大部分内容，第一部分为线束检测系统的设计，第二部分为管线气密检测系统的设计，第三部分为检测信息编辑PC机软件的设计。三大部分涵盖软、硬件的设计研究，但在设计及功能上相对独立，故分开进行介绍。 作为第一部分线束检测系统设计的开头篇，第二章详细介绍了系统的导通检测、数据读写、人机交互等各个模块的硬件设计。第三章以第二章所介绍的硬件结构为基础，从线束检测算法、数据通信、数据存取等方面逐层进行探讨，从而完成对线束检测系统软件部分的介绍。按照第一部分的模式，第二部分所包含的四、五两章对本系统中的管线气密检测部分分别从硬件和软件的角度进行详细介绍和深度剖析。第三部分主要介绍基于MFC的PC机信息编辑软件的开发，分别从开发工具、软件架构、算法等方面进行详尽的阐述。 本论文介绍的汽车线束检测系统可以支持最多1024个线束点，8路气密管线的检测，并且能管理并存储线束测试的大量数据，方便操作人员查看线束测试情况，同时线束检测部分具有自学习功能，应用前景十分广阔。
上传时间： 2013-04-24
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数字电路学习。TTL方向器的具体工作过程。各器件导通截至情况和电路各点电压变化。
上传时间： 2015-08-13
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求解导通角的matlab源代码，适用于求解导通角。
上传时间： 2016-06-26
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实现电机的svpwm控制的IGBT开关导通时间的matlab计算的程序，还有画图
上传时间： 2013-12-27
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89s51单片机控制继电器！ 由s51io口输出低电平使三极管导通 从而控制继电器闭合 #include <reg51.H> sbit P0_0=P0^0 sbit P1_7=P1^7 main() {while(1) { if (P0_0==0) P1_7==1 } }
上传时间： 2013-12-17
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单桥运行可控硅整流电路导通监视原理分析，交直流的，不是程序，设计参考
上传时间： 2014-12-03
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在功率电路中，电压的检测相对于电流的检测要简单和容易得多。电压的检测可以很方便地进行而不会对电路性能产生明显影响；而对电流的检测却要复杂得多，电流的检测必须引入测量电流的检测器，检测器的引入将影响电路的性能。根据具体的电路，选择合适的电流检测方案，并进行正确的电路设计，是功率电路设计成败的关键之一。 在开关电源设计中，电流检测技术起着至关重要的作用，是开关电源设计成功与否的关键因素。本文首先详细分析和比较了目前开关电源中常用的电阻检测、磁检测、MOSFET检测等几种电流检测方法。并根据各自的特点，将各种技术加以区别，为各种开关电源选择合适的检测技术指明了方向。在此基础上，本文提出了两种适用于电流型控制开关电源的新型电流检测电路。该电路结合了场效应晶体管导通电阻特性和电流镜像原理，能即时、快速地检测流过功率开关管的电流，以有效地进行开关控制和过流保护。论文最后还介绍了一种无检测电路的控制，并提出了一种分析无电流传感器控制斜坡补偿的分析方法，从理论上证实了电流型控制斜坡补偿的意义。
上传时间： 2013-06-07
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电源测量与分析入门手册 本入门手册将主要介绍如何使用示波器和专用软件进行开关电源设计测量。两个不同版本。都是中文的。 目录 简介 电源设计中的问题以及测量要求 示波器与电源测量 开关电源基础 准备进行电源测量 在一次采集中同时测量100 伏和100 毫伏电压 消除电压探头和电流探头之间的时间偏差 消除探头零偏和噪声 电源测量中记录长度的作用 识别真正的Ton 与Toff 转换 有源器件测量：开关元件 开关器件的功率损耗理论 截止损耗 开通损耗 详细了解SMPS 的功率损耗 安全工作区 动态导通电阻 di/dt dv/dt 无源器件测量：磁性元件 电感基础 用示波器进行电感测量 磁性元件功率损耗基础 用示波器进行磁性元件功率损耗测量 磁特性基础 用示波器测量磁性元件特性 输入交流供电测量 电源质量测量基础 SMPS 的电源质量测量 用示波器测量电源质量 使用正确的工具 用示波器进行电源质量测量
上传时间： 2013-07-03
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现场可编程门阵列(FPGA)是一种可实现多层次逻辑器件。基于SRAM的FPGA结构由逻辑单元阵列来实现所需要的逻辑函数。FPGA中，互连线资源是预先定制的，这些资源是由各种长度的可分割金属线，缓冲器和．MOS管实现的，所以相对于ASIC中互连线所占用的面积更大。为了节省芯片面积，一般都采用单个MOS晶体管来连接逻辑资源。MOS晶体管的导通电阻可以达到千欧量级，可分割金属线段的电阻相对于MOS管来说是可以忽略的，然而它和地之间的电容达到了0.1pf[1]。为了评估FPGA的性能，用HSPICE仿真模型虽可以获得非常精确的结果，但是基于此模型需要花费太多的时间。这在基于时序驱动的工艺映射和布局布线以及静态时序分析中都是不可行的。于是，非常迫切地需要一种快速而精确的模型。 FPGA中连接盒、开关盒都是由MOS管组成的。FPGA中的时延很大部分取决于互连，而MOS传输晶体管在互连中又占了很大的比重。所以对于MOS管的建模对FPGA时延估算有很大的影响意义。对于MOS管，Muhammad[15]采用导通电阻来代替MOS管，然后用。Elmore[3]时延和Rubinstein[4]时延模型估算互连时延。Elmore时延用电路的一阶矩来近似信号到达最大值50％时的时延，而Rubinstein也是通过计算电路的一阶矩估算时延的上下边界来估算电路的时延，然而他们都是用来计算RC互连时延。传输管是非线性器件，所以没有一个固定的电阻，这就造成了Elmore时延和Rubinstein时延模型的过于近似的估算，对整体评估FPGA的性能带来负面因素。 本论文提出快速而精确的现场可编程门阵列FPGA中的互连资源MOS传输管时延模型。首先从阶跃信号推导出适合50％时延的等效电阻模型，然后在斜坡输入的时候，给出斜坡输入时的时延模型，并且给出等效电容的计算方法。结果验证了我们精确的时延模型在时间上的开销少的性能。 在岛型FPGA中，单个传输管能够被用来作为互连线和互连线之间的连接，或者互连线和管脚之间的连接，如VPR把互连线和管脚作为布线资源，管脚只能单独作为输入或者输出管脚，以致于它们不是一个线网的起点就是线网的终点。而这恰恰忽略了管脚实际在物理上可以作为互连线来使用的情况(VPR认为dogleg现象本身对性能提高不多)。本论文通过对dogleg现象进行了探索，并验证了在使用SUBSET开关盒的情况下，dogleg能提高FPGA的布通率。
上传时间： 2013-07-24
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