该文档为几种常用的功率器件(电力半导体)及其应用概述文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
标签： 功率器件 电力半导体
上传时间： 2021-12-17
上传用户：20125101110
该文档为半导体器件物理-负阻器件、功率器件、光电器件概述文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
标签： 半导体器件
上传时间： 2021-12-18
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该文档为SiC功率半导体器件的优势及发展前景总结文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
标签： sic 功率半导体器件
该文档为基于GaN器件射频功率放大电路的设计总结文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
标签： GaN器件 射频功率放大电路
上传时间： 2021-12-23
上传用户：XuVshu
级联结构氮化镓功率器件及其在无线电能传输系统中的应用
标签： 氮化镓功率器件 无线电能传输
上传时间： 2022-01-01
器件和封装知识，华为教材内部教材，非常有用，建议收藏
标签： 器件封装
用于VLSI模拟的小尺寸MOS器件模型--理论与实践，pdf版本，非常有用
标签： VLSI MOS器件
薄膜晶体管液晶显示器件的制造、测试与技术发展 王大巍等编著.pdf
标签： 薄膜 晶体管 液晶显示
半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求样品为薄膜样品或块状， 范德堡法为更通用的四探针测量技术，对样品形状没有要求， 且不需要测量样品所有尺寸， 但需满足以下四个条件• 样品必须具有均匀厚度的扁平形状。• 样品不能有任何隔离的孔。• 样品必须是均质和各向同性的。• 所有四个触点必须位于样品的边缘。
标签： 半导体 gan sic
上传时间： 2022-01-03
电子工业生产技术手册 (第八卷) 半导体与集成电路卷 化合物半导体器件-email.pdf
标签： 电子工业生产
上传时间： 2022-01-07
