RC5编码格式的遥控器解码、PCA9633器件控制代码示例、串口通信程序示例、IIC通信示例
标签： 9633 RC5 PCA IIC 编码 器件 代码 串口通信 控制 程序
上传时间： 2019-07-03
上传用户：zqy1818
Capture 基础教程及CIS 器件库
上传时间： 2019-07-30
上传用户：jyh1058
ad封装库，包含一些数码管和蜂鸣器等声亮器件的封装库和元件库。
标签： ad封装库
上传时间： 2020-06-23
上传用户：inkfz
这是ALTERA器件选型手册，对于想做CPLD器件选型的朋友有帮助
上传时间： 2021-01-17
上传用户：qiuben_2007
如果 PCB 用排线连接，控制排线对应的插头插座必须成直线，不交叉、不扭曲。 连续的 40PIN 排针、排插必须隔开 2mm 以上。 考虑信号流向，合理安排布局，使信号流向尽可能保持一致。 输入、输出元件尽量远离。 电压的元器件应尽量放在调试时手不易触及的地方。 驱动芯片应靠近连接器。 有高频连线的元件尽可能靠近，以减少高频信号的分布参数和电磁干扰。 对于同一功能或模组电路，分立元件靠近芯片放置。 连接器根据实际情况必须尽量靠边放置。 开关电源尽量靠近输入电源座。 BGA 等封装的元器件不应放于 PCB 板正中间等易变形区 BGA 等阵列器件不能放在底面， PLCC 、 QFP 等器件不宜放在底层。 多个电感近距离放置时应相互垂直以消除互感。 元件的放置尽量做到模块化并连线最短。 在保证电气性能的前提下，尽量按照均匀分布、重心平衡、版面美观的标准优化布局。 按电路模块进行布局，实现同一功能的相关电路称为一个模块，电路模块中的元件应采用就近集 中原则，同时数字电路和模拟电路分开； 定位孔、标准孔等非安装孔周围 1.27mm 内不得贴装元、器件，螺钉等安装孔周围 紧固件安装孔、椭圆孔及板中其它方孔外侧距板边的尺寸大于 3mm ； 发热元件不能紧邻导线和热敏元件；高热器件要均衡分布；
上传时间： 2021-06-25
上传用户：xiangshuai
873厂片式器件手册
上传时间： 2021-06-28
上传用户：zw666
这套教材是参照高等学校工科基础课电工,无线电类教材会议在 1977 年11 月制定的“电子技术基础”(自动化类)编写大纲和各兄弟院校后来对该大纲提出的修改意见编写的,以《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两书出版。本书是其数字电子技术基础部分。全书共有九章,分为上、下两册。上册包的做制国的转换运算真数运算小码和补阿调括门电路、数字电路的逻辑分析、组合逻辑电路,时序逻辑电路及脉冲波形的产生和整形等五章。这是数字电路的基本部分。下册包括金属-氧化物一半导体集成电路、数模和模数转换、数字电路中的若干实际问题以及综合读图练习等四章,作为选讲部分。在安排教学内容时,可以视具体要求和学时的多少,作必要的增删。 在处理不断出现的新器件和基本内容的矛盾时,我们采取的措施是:以小规 模和中规模集成电路为主来组织内容,并适当介绍大规模集成电路;而在基本数 字脉冲单元方面,则仍以分立元件为主。 考虑到目前的数字电子技术课程多半安排在模拟电子技术课程之后,所以 在用到模拟电路中的有关内容时,就直接作为结论加以引用了。
上传时间： 2021-10-18
上传用户：15129273676
本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层， 以防止其提前击穿。 另外， 必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸（MCT） 结构和基极电阻控制晶闸管 （BRT） 结构， 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸（EST）， 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断， 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 大功率器件
上传时间： 2021-11-02
上传用户：
本书介绍了功率半导体器件的原理、 结构、 特性和可靠性技术， 器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件， 包括二极管、 晶闸管、 MOSFET、 IGBT和功率集成器件等。 此外， 还包含了制造工艺、 测试技术和损坏机理分析。 就其内容的全面性和结构的完整性来说， 在同类专业书籍中是不多见的。本书内容新颖， 紧跟时代发展， 除了介绍经典的功率二极管、 晶闸管外， 还重点介绍了MOSFET、 IGBT 等现代功率器件， 颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的最新的成果。 本书是一本精心编著， 并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书， 相信它的翻译出版， 必将有助于我国电力电子事业的发展。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 功率半导体器件
上传时间： 2021-11-07
上传用户：
该文档为电力电子半导体器件(MOSFET).讲解文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
上传时间： 2021-11-11
上传用户：
