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半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN SiC）材料及器件测试 - 资源详细说明
半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试
宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。
四探针技术要求样品为薄膜样品或块状， 范德堡法为更通用的四探针测量技术，
对样品形状没有要求， 且不需要测量样品所有尺寸， 但需满足以下四个条件
• 样品必须具有均匀厚度的扁平形状。
• 样品不能有任何隔离的孔。
• 样品必须是均质和各向同性的。
• 所有四个触点必须位于样品的边缘。
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