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薄膜

薄膜是一种薄而软的透明薄片。用塑料、胶粘剂、橡胶或其他材料制成。薄膜科学上的解释为:由原子,分子或离子沉积在基片表面形成的2维材料。例:光学薄膜、复合薄膜、超导薄膜、聚酯薄膜、尼龙薄膜、塑料薄膜等等。薄膜被广泛用于电子电器,机械,印刷等行业。
  • KAR高精薄膜贴片系列--KAT

    KAR高精薄膜贴片系列--KAT

    标签: KAR KAT 薄膜 贴片

    上传时间: 2013-06-14

    上传用户:eeworm

  • 纳米粒子与纳米结构薄膜

    纳米粒子与纳米结构薄膜

    标签: 纳米粒子 纳米结构 薄膜

    上传时间: 2013-04-15

    上传用户:eeworm

  • 压电薄膜的制备、结构与应用

    压电薄膜的制备、结构与应用

    标签: 压电 薄膜

    上传时间: 2013-06-14

    上传用户:eeworm

  • 新型电子薄膜材料

    新型电子薄膜材料

    标签: 电子 材料 薄膜

    上传时间: 2013-07-05

    上传用户:eeworm

  • 压电薄膜的制备、结构与应用-167页-3.2M.pdf

    专辑类-电子工艺-质量及可靠性相关专辑-80册-9020M 压电薄膜的制备、结构与应用-167页-3.2M.pdf

    标签: 167 3.2 压电

    上传时间: 2013-05-16

    上传用户:三人用菜

  • 纳米粒子与纳米结构薄膜-448页-19.6M.pdf

    专辑类-微波相关专辑-共31册-341M 纳米粒子与纳米结构薄膜-448页-19.6M.pdf

    标签: 19.6 448 纳米粒子

    上传时间: 2013-04-24

    上传用户:it男一枚

  • KAR高精薄膜贴片系列-KAT.pdf

    专辑类-元器件样本专辑-116册-3.03G KAR高精薄膜贴片系列-KAT.pdf

    标签: KAR KAT 薄膜

    上传时间: 2013-06-19

    上传用户:3233

  • 基于ARM的压电薄膜轴的车辆动态称重系统嵌入式研究与设计

    WIM动态称重系统的研究对于保护公路的正常使用有着非常重要的经济利益和社会价值。针对我国公路WIM系统的研究现状和存在的问题,提出了新的思路、解决办法和改进措施,用以提高整个WIM系统的各项性能指标。 基于ARM的压电薄膜轴的车辆动态称重系统的嵌入式研究与设计,致力于提高WIM系统精度等各项性能指标,其采用了高新的软硬件技术,是一个比较有研究意义的课题。 本文首先从分析称重原理入手,提出了一个改进的系统整体设计方案,在该方案的前提下,通过不断地试验修改,搭建了一个基于Labview的现场模拟实验系统,为下一步研究和整个系统的实现打下了坚实的基础。本文所做的具体工作,概括起来有如下几点: 第一,简要地介绍了基于压电薄膜轴的WIM系统原理、影响因素以及课题研究的意义等; 第二,给出了系统整体设计方案,并设计了多个信号调理电路,诸如电荷放大电路,隔离电路以及滤波电路等; 第三,采用了32位的微处理器,并采用了一种比较完善的数据处理方法,提高了系统的软硬件技术,在此基础上研究设计了基于ARM-μgC/OS-Ⅱ的WIM嵌入式系统平台,完成了系统的软硬件设计、实现及操作系统移植; 最后,设计并实地进行了一个新的试验,即基于LabVIEW8.2的数据采集卡的现场模拟试验,给出了试验结果和分析。该试验方便于测量与数据采集,可得到较为精准的现场数据,为后续的数据处理打下了基础;

    标签: ARM 压电 动态称重系统 薄膜

    上传时间: 2013-07-29

    上传用户:源弋弋

  • 薄膜硅电池生产线面临的挑战

      薄膜硅电池生产线的问题   •设备投资过大   •技术升级过快   •生产工艺不成熟   •电池效率仍较低   •电池的长期寿命有待验证(电池的稳定性仍不好)

    标签: 薄膜硅电池 生产线

    上传时间: 2014-12-24

    上传用户:ruan2570406

  • NIP型非晶硅薄膜太阳能电池的研究

    采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。

    标签: NIP 非晶硅 薄膜太阳能电池

    上传时间: 2013-11-20

    上传用户:wanqunsheng