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氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（directbandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半...
gan 热门资料
查看全部 18 份 →GaN-on-Si+Displace+Si+and+SiC
GaN is an already well implanted semiconductor technology, widely diffused in the LED optoelectronics industry. For abou...
MACOM 高功率GaN产品组合
GaN技术相比传统LDMOS的优势已经不必多说，这项技术在RF领域已经得到认可。更小尺寸、更高效能、更大功率和更宽带宽;这些优势都是LDMOS所不能比拟的。即便如此，目前GaN技术还是没有完全取代LDMOS。这是为什么呢?主要是三方面的原因...
GaN基紫外图像传感器研究
本资源深入探讨了基于GaN材料的紫外图像传感器技术，采用pin型背面入光式结构设计，成功实现了64×64分辨率的紫外探测器阵列样品开发。该研究不仅为高灵敏度、低噪声的紫外成像提供了新的解决方案，而且对于推动环境监测、生物医学以及安全检测等领...
Si衬底GaN基材料及器件的研究
GaN作为新型的宽禁带半导体材料，一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料，可与InN，AlN形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金（AlGaN、InGaN、AlInGaN），对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围，而且...