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查看全部12个资源 »GaN-on-Si+Displace+Si+and+SiC
GaN is an already well implanted semiconductor technology, widely diffused in the LED optoelectronics industry. For about 10 years, GaN devices have a...
第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战
作者：何亮，刘扬论文摘要：氮 化 镓 (G a N )材 料 具 有 优 异 的 物 理 特 性 ，非 常 适 合 于 制 作 高 温 、高 速 和 大 功 率 电 子 器 件 ，具 有 十 分 广 阔 的 市场前景 。 S i衬 底 上 G a N 基 功 率 开 关 器 件 是 目 前 的 ...
硅基GaN功率半导体技术总结
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基于GaN器件射频功率放大电路的设计总结
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