电路连接 由于数码管品种多样，还有共阴共阳的，下面我们使用一个数码管段码生成器（在文章结尾） 去解决不同数码管的问题： 本例作者利用手头现有的一位不知品牌的共阳数码管：型号D5611 A/B，在Eagle 找了一个 类似的型号SA56-11，引脚功能一样可以直接代换。所以下面电路图使用SA56-11 做引脚说明。 注意： 1. 将数码管的a~g 段，分别接到Arduino 的D0~D6 上面。如果你手上的数码管未知的话，可以通过通电测量它哪个引脚对应哪个字段，然后找出a~g 即可。 2. 分清共阴还是共阳。共阴的话，接220Ω电阻到电源负极；共阳的话，接220Ω电阻到电源+5v。 3. 220Ω电阻视数码管实际工作亮度与手头现有原件而定，不一定需要准确。 4. 按下按钮即停。 源代码 由于我是按照段码生成器默认接法接的，所以不用修改段码生成器了，直接在段码生成器选择共阳极，再按“自动”生成数组就搞定。 下面是源代码，由于偷懒不用写循环，使用了部分AVR 语句。 PORTD 这个是AVR 的端口输出控制语句，8 位对应D7~D0，PORTD=00001001 就是D3 和D0 是高电平。 PORTD = a;就是找出相应的段码输出到D7~D0。 DDRD 这个是AVR 语句中控制引脚作为输出/输入的语句。DDRD = 0xFF;就是D0~D7 全部 作为输出脚了。 ARDUINO CODECOPY /* Arduino 单数码管骰子 Ansifa 2011-12-28 */ //定义段码表，表中十个元素由LED 段码生成器生成，选择了共阳极。 inta[10] = {0xC0, 0xF9, 0xA4, 0xB0, 0x99, 0x92, 0x82, 0xF8, 0x80, 0x90}; voidsetup() { DDRD = 0xFF; //AVR 定义PortD 的低七位全部用作输出使用。即0xFF=B11111111对 应D7~D0 pinMode(12, INPUT); //D12用来做骰子暂停的开关 } voidloop() { for(int i = 0; i < 10; i++) { //将段码输出PortD 的低7位，即Arduino 的引脚D0~D6，这样需要取出PORTD 最高位，即 D7的状态，与段码相加，之后再输出。 PORTD = a[i]; delay(50); //延时50ms while(digitalRead(12)) {} //如果D12引脚高电平，则在此死循环,暂停LED 跑 动 } }
上传时间： 2013-10-15
上传用户：baitouyu
计算方法： 1) A值（相位）的计算：根据设置的相位值D（单位为度，0度-360度可设置），由公式A=D/360，得出A值，按四舍五入的方法得出相位A的最终值； 2) B偏移量值的计算：按B=512*(1/2VPP-VDC+20)/5； 3) C峰峰值的计算：按C=VPP/20V*4095；
上传时间： 2013-11-18
上传用户：xdqm
关于MOSFET应用时的热设计方法。
上传时间： 2013-10-31
上传用户：shen954166632
目前，被广泛使用的经典边缘检测算子有Sobel算子，Prewitt算子，Roberts算子，Log算子，Canny算子等等。这些算子的核心思想是图像的边缘点是相对应于图像灰度值梯度的局部极大值点。然而，当图像中含有噪声时这些算子对噪声都比较敏感，使得将噪声作为边缘点。由于噪声的干扰，不能检测出真正的边缘。一个拥有良好属性的的边缘检测算法是每个研究者的追求。利用小波交换的特点，设计了三次B样条平滑滤波算子。通过利用这个算子，对利用小波变换来检测图像的边缘进行了一定的研究和理解。
上传时间： 2013-10-13
上传用户：kqc13037348641
本文是关于电路中的 BJT 与 MOSFET开关应用的讨论。 前段时间，一同学跟我说，他用单片机做了一个简单的 LED 台灯，用 PWM的方式控制灯的亮度，但是发现 BJT 总是很烫。他给我的电路图如图一，我问他3V 时 LED 的发光电流是多大，他说大概十几到二十 mA，我又问他电阻多大，他说 10KΩ。于是我笑笑说你把电阻小一点就好了。他回去一试，说用了个 1KΩ的电阻，就没有任何问题了。 我很失望他没有问我为什么要这么做，这可能是大多数电子爱好初学者存在的问题，他们的动手能力很强，但是并不注重基本的理论知识。他们大多数情况下都是“依葫芦画瓢”，借用现成的电路使用，就连参数和器件型号的选择都疏于考虑。
上传时间： 2013-11-02
上传用户：ZJX5201314
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间： 2013-10-21
上传用户：1427796291
Recently a new technology for high voltage Power MOSFETshas been introduced – the CoolMOS™ . Based on thenew device concept of charge compensation the RDS(on) areaproduct for e.g. 600V transistors has been reduced by afactor of 5. The devices show no bipolar current contributionlike the well known tail current observed during the turn-offphase of IGBTs. CoolMOS™ virtually combines the lowswitching losses of a MOSFET with the on-state losses of anIGBT.
标签： COOLMOS
上传时间： 2013-11-14
上传用户：zhyiroy
分析了对功率MOSFET器件的设计要求；设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明，该电路驱动能力及保护功能效果良好。
上传时间： 2014-01-25
上传用户：hz07104032
开通过程[ t0 ~ t4 ]： -- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止状态，t0 时，MOSFET 被驱动开通； -- [t0-t1]区间，MOSFET 的GS 电压经Vgg 对Cgs 充电而上升，在t1 时刻，到达维持电压Vth，MOSFET 开始导电；
上传时间： 2013-10-14
上传用户：ks201314
定点乘法器设计(中文) 运算符： + 对其两边的数据作加法操作; A + B - 从左边的数据中减去右边的数据; A - B - 对跟在其后的数据作取补操作，即用0减去跟在其后的数据; - B * 对其两边的数据作乘法操作; A * B & 对其两边的数据按位作与操作; A & B # 对其两边的数据按位作或操作; A # B @ 对其两边的数据按位作异或操作; A @ B ~ 对跟在其后的数据作按位取反操作; ~ B << 以右边的数据为移位量将左边的数据左移; A << B $ 将其两边的数据按从左至右顺序拼接; A $ B
上传时间： 2013-12-17
上传用户：trepb001
