分析了对功率MOSFET器件的设计要求；设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明，该电路驱动能力及保护功能效果良好。
上传时间： 2014-01-25
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功率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用；但它承受短时过载的能力较弱，使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求；计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOSFET的匹配；设计了基于IR2130驱动模块的MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在驱动无刷直流电机的应用中证明，该电路驱动能力及保护功能效果良好。
上传时间： 2013-12-18
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功率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用；但它承受短时过载的能力较弱，使 其应用受到一定的限制。分析了MOSFET 器件驱动与保护电路的设计要求；计算了MOSFET 驱动器的功耗及MOSFET 驱动器与MOSFET 的匹配；设计了基于IR2130 驱动模块的 MOSFET 驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在驱动无 刷直流电机的应用中证明，该电路驱动能力及保护功能效果良好。
标签： mosfet 保护
上传时间： 2016-01-11
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IGBT驱动保护电路作为变频器主回路和控制回路之间的接口电路，具有承接前后作用.设计好驱动保护电路对于变频器正常工作起着举足轻重的作用，死区补偿对改善变频器输出电压波形，减小输出电流谐波含量具有重要意义.本文在详细分析IGBT的结构和工作特性的基础上，以HCPL316为核心设计了一套完整的IGBT驱动保护电路，该电路具有较强驱动能力，适用于驱动中小容量的IGBT：能够对IGBT过电流、过电压提供保护，针对不同型号1GBT的开关特性，可调节适合的死区时间，防止逆变电路桥臂直通，仿真和实验证明，该驱动保护电路可以对变频器提供可靠的过流、过压保护功能；通过调节死区可调电阻，设置适合的死区时间，保证了变频器中IGBT安全可靠运行.为了减小IGBT驱动电路中产生的死区效应，本文采用基于功率因数角预测方法进行死区补偿，该方法首先通过对功率因数角的计算，确定电流矢量在三相静止坐标系中所处的位置，进而判断输出电流方向，调节IGBT控制脉冲宽度以补偿变频器死区时间，减少变频器的输出电流语波，降低电动机噪声，延长电机寿命，该方法易于软件实现、具有补偿精确等优点.在变频器控制单元中，基于常用SVPWM软件基础上，编写了功率因数角预测死区补偿算法.通过对变频器死区补偿前后的试验，证明了本文所提方法的正确性和有效性.
上传时间： 2022-06-18
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较详细的论述了IPM模块的驱动及保护电路
上传时间： 2014-03-10
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半桥逆变IGBT模块压电驱动与保护电路设计_冯国雨
上传时间： 2022-01-10
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IGBT驱动电路原理及保护电路，有需要的可以参考！
上传时间： 2022-04-13
上传用户：jason_vip1
IGBT在以变频器及各类电源为代表的电力电子装置中得到了广泛应用.IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体，具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快和工作频率高等优点。但是，IGBT和其它电力电子器件一样，其应用还依赖于电路条件和开关环境。因此，IGBT的驱动和保护电路是电路设计的难点和重点，是整个装置运行的关键环节。为解决IGBT的可靠驱动问题，国外各IGBT生产厂家或从事IGBT应用的企业开发出了众多的IGBT驱动集成电路或模块，如国内常用的日本富士公司生产的EXB8系列，三菱电机公司生产的M579系列，美国IR公司生产的1R21系列等。但是，EXB8系列、M579系列和IR21系列没有软关断和电源电压欠压保护功能，而惠普生产的HCLP-316]有过流保护、欠压保护和1GBT软关断的功能，且价格相对便宜，因此，本文将对其进行研究，并给出1700v，200~300A IGBT的驱动和保护电路。
标签： igbt
上传时间： 2022-06-21
上传用户：woyaotandang
IGBT是MOSFET和GTR的复合器件，它具有开关速度快、热稳定性好、驱动功率小和驱动电路简单的特点，又具有通态压降小、耐压高和承受电流大等优点.IGBT作为主流的功率输出器件，特别是在大功率的场合，已经被广泛的应用于各个领域。本文在介绍了1GBT结构、工作特性的基础上，针对风电变流器实验平台和岸电电源的实际应用，选择了各自的IGBT模块。然后对IGBT的驱动电路进行了深入地研究，详细地说明了IGBT对栅极驱动的一些特殊要求及应该满足的条件。接着对三种典型的驱动模块进行了分析，同时分别针对风电变流器实验平台和岸电电源，设计了三菱的M57962AL和Concept的2SD315A驱动模块的外围驱动电路。对于大功率的设备，电路中经常会遇到过流、过压、过温的问题，因此必要的保护措施是必不可少的。针对上述问题，本文分析了出现各种状况的原因，并给出了各自的解决方案：采用分散式和集中式过流保护相结合的方法实现过电流保护；采用缓存吸收电路及采样检测电路以防止过电压的出现；通过选择正确的散热器及利用铂电阻的特性来实施检测温度，从而使电路能够更好地可靠运行。同时，为了满足今后1.5MW风电变流器和试验电源等更大功率设备的需求，在性价比上更倾向于采用IGBT模块串、并联的方式来取代高耐压、大电流的单管1GBT.本文就同一桥臂的IGBT串联不均压，并联不均流的问题进行了阐述，并给出了相应的解决方案。最后针对上述的不平衡情形，采用PSpice对其进行仿真模拟，并通过加入均压、均流电路后的仿真结果，有效地说明了电路的可行性。
上传时间： 2022-06-21
上传用户：kid1423
摘要：为解决绝缘栅双极性品体管（ICET）在实际应用中经常出现的过流击穿问题，在分析了ICET过流特性和过流检测方法的基础上，根据过流时IGBT集电极电流的大小分别设计了过载保护电路和短路保护电路。过载保护电路在检测到过载时立即关断ICBT.根据不同的过载保护要求可实现持续封锁、固定时间封锁及单周期封锁ICBT的驱动信号；短路保护电路通过检测IGBT通态压降判别短路故障，利用降栅压、软关断和降顿综合保护技术降低短路电流并安全关断IGBT，详细阐述了保护电路的保护机制及电路原理，最后对设计的所有保护电路进行了对应的过流保护测试，给出了测试波形图。试验结果表明，IGBT保护电路能及时进行过流检测并准确动作，IGBT在不同的过流情况下都得到了可靠保护关键词：绝缘栅双极性晶体管；过流保护；降棚压；软关断
上传时间： 2022-06-21
上传用户：yb9018
