功率MOSFET驱动保护电路方案
分析了对功率MOSFET器件的设计要求；设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明，该电路驱动能力及保护功能效果良好。 ...
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功率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用；但它承受短时过载的能力较弱，使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求；计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOSFET的匹配；设计了基于IR2130驱动模块的MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，...
MOSFET驱动保护电路设计
功率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用；但它承受短时过载的能力较弱，使 其应用受到一定的限制。分析了MOSFET 器件驱动与保护电路的设计要求；计算了MOSFET 驱动器的功耗及MOSFET 驱动器与MOSFET 的匹配；设计了基于IR2130 驱动模块的 MOSFET 驱动保护电路。该电...
变频器的IGBT驱动保护电路及死区补偿研究
IGBT驱动保护电路作为变频器主回路和控制回路之间的接口电路，具有承接前后作用.设计好驱动保护电路对于变频器正常工作起着举足轻重的作用，死区补偿对改善变频器输出电压波形，减小输出电流谐波含量具有重要意义.本文在详细分析IGBT的结构和工作特性的基础上，以HCPL316为核心设计了一套完整的IGBT驱...
较详细的论述了IPM模块的驱动及保护电路
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