CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起...
COOLMOS技术资料
📦 资源总数：8
💻 源代码：3
CoolMos技术以其卓越的低导通电阻和快速开关特性，在电源转换、电机控制及LED照明等领域展现出无可比拟的优势。作为新一代功率MOSFET，CoolMos不仅显著提升了系统效率，还大幅降低了热损耗，是追求高性能与高可靠性的工程师首选。本页面汇集了8个精选资源，涵盖从基础理论到实际应用案例，助您深入理解并灵活运用CoolMos技术，加速产品创新步伐。立即访问，开启您的高效设计之旅！
🔥 COOLMOS热门资料
查看全部8个资源 »COOLMOS全面认识
Recently a new technology for high voltage Power MOSFETshas been introduced – the CoolMOS™ . Based on thenew device concept of charge co...
CoolMos的原理、结构及制造
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入E...
新型组合式COOLMOS器件在开关电源中的应用研究
COOLMOS ICE2A165/265/365是Infineon technologies 公司推出的系列PWM+MOSFET二合一芯片，其突出特点是由其组成的开关电源，在市电电网中工作时，无需外加散热器即可输出20～50W的输出功率;且能自动降低空载时的工作频率，从而降低待机状态的损耗;...
COOLMOS_原理结构
看到不少网友对COOLMOS感兴趣，把自己收集整理的资料、个人理解发出来，与大家共享。个人理解不一定完全正确，仅供参考。COOLMOS（super junction）原理，与普通VDMOS的差异如下： 对于常规VDMOS器件结构，大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EP...
💻 COOLMOS源代码
查看更多 »📂 COOLMOS资料分类