介绍一种高电源抑制比带隙基准电路的设计与验证
上传时间： 2013-10-08
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ESD静电抑制资料。
上传时间： 2013-10-14
上传用户：rishian
电源纹波的产生、危害、测量和抑制
上传时间： 2013-10-31
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基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变正温度电压的系数，以适应不同工艺下负温度系数的变化，最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz时电源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz时（PSRR）达到-64 dB；在4 V电源电压下，在-40～80 ℃范围内的不同工艺角下，温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。
上传时间： 2014-12-03
上传用户：88mao
开关电源的EMI产生的源头以及抑制
上传时间： 2013-12-29
上传用户：assef
变速恒频风力发电系统控制方案的分析与比较
上传时间： 2013-11-03
上传用户：zq70996813
文中提出了一种应用于印刷电路板的新颖二维电磁带隙（MS-EBG）结构,其单位晶格由折线缝隙组合与正方形贴片桥接构成,以抑制同步开关噪声。结果表明,抑制深度为-30 dB时,与传统L-bridged EBG结构比较,新EBG结构的阻带宽度增加1.3 GHz,相对带宽提高了约10%,能够有效抑制0.6～5.9 GHz的同步开关噪声。
上传时间： 2013-11-07
上传用户：qimingxing130
设计了一种可在CMOS射频功率放大器中用于功率合成的宽带变压器。通过对变压器的并联和串联两种功率合成形式进行分析与比较，指出了匝数比、功率单元数目以及寄生电阻对变压器功率合成性能的影响；提出了一种片上变压器的设计方法，即采用多层金属叠层并联以及将功放单元内置于变压器线圈中的方式，解决了在CMOS工艺中设计变压器时面临的寄生电阻过大及有效耦合长度不足等困难。设计的变压器在2～3 GHz频段内的损耗小于1．35 dB，其功率合成效率高达76 以上，适合多模多频段射频前端的应用。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：ewtrwrtwe
电力线载波通讯是一种低价方便、并可免除装设专用通信线路的通信技术, 文中介绍了利用Chirps 扫描频率进行载波的扩频通讯技术和CEBUS 总线的有关协议, 给出了由SSC P300 芯片构成的电力线载波通讯电路在电表自动抄收系统中的应用设计实例。
上传时间： 2013-11-16
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研究了基于双频的三相桥式逆变器拓扑结构，该拓扑由两个传统的三相桥式逆变器级联而成，其中一个工作在低频状态，另一个工作于高频状态，两单元功能相对分离。对高频单元采用单周控制，对低频单元采用电流滞环控制，利用Matlab/Simulink建立了仿真模型。仿真结果表明，该拓扑对降低开关损耗、电流总谐波畸变率、提高系统响应速度具有很好的作用。
上传时间： 2014-11-27
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