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带隙结构是半导体材料中至关重要的特性，直接影响着电子器件的性能与应用范围。从太阳能电池到高速晶体管，带隙工程为实现高效能、低功耗电子产品提供了理论基础和技术支持。探索17198份精选资源，涵盖最新研究成果及经典案例分析，助您深入理解如何通过调控带隙宽度优化光电转换效率或提升集成电路速度。无论是学术研究还是产品开发，这里都是您不可或缺的知识宝库。

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介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在...

📅 👤 thesk123
CMOS 高电源抑制 带隙基准 电压源

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