介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在...

📅 2013-10-27 👤 thesk123

CMOS 高电源抑制带隙基准电压源

这是个光子晶体一维二维及三维带隙

这是个光子晶体一维二维及三维带隙，带结构或色散关系分析设计，很好用...

📅 2013-12-27 👤 2525775

光子晶体二维带隙

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