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本文主要超薄芯片的背面金属化中的一些问题,阐述了两种主要的背面金属化工艺的建立,并解决了这两个工艺中关键问题,使得工艺获得好的成品率,提高了产品的可靠性,实现了大规模量产。流程(一)介绍了一种通过技术转移在上海先进半导体制造有限公司(ASMC)开发的一种特殊工艺,工艺采用特殊背面去应力工艺,通过机械...

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使用LYTSwitch™(LYT4215E)设计而成,90 VAC – 135 VAC输入、50 V, 430 mA输出。驱动器元件高度仅为10mm。在110 VAC输入下效率≥86%,出色的成本优势。...

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