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超薄芯片Backend工艺分析及失效研究

  • 资源大小:12864 K
  • 上传时间: 2022-06-25
  • 上传用户:1208020161
  • 资源积分:2 下载积分
  • 标      签: 超薄芯片 backend工艺

资 源 简 介

本文主要超薄芯片的背面金属化中的一些问题,阐述了两种主要的背面金属化工艺的建立,并解决了这两个工艺中关键问题,使得工艺获得好的成品率,提高了产品的可靠性,实现了大规模量产。

流程(一)介绍了一种通过技术转移在上海先进半导体制造有限公司(ASMC)

开发的一种特殊工艺,工艺采用特殊背面去应力工艺,通过机械应力和背银沾污的控制,将背面金属和硅片的黏附力和金硅接触电阻大大改善。论文同时阐述了一种自创的检验黏附力的方法,通过这种方法的监控,大幅度提高了产品良率,本论文的研究课题来源于企业的大规模生产实践,对于同类的低压低导通电阻VDMOS产品有实用的参考意义。

流程(二)讨论了在半导体器件中应用最为广泛的金-硅合金工艺的失效模式及其解决办法。并介绍了我公司独创的刻蚀-淀积-合金以及应力控制同时完成的方案。通过这种技术,使得金硅合金质量得到大步的提升,并同时大大减少了背金工艺中的碎片问题,为企业获得了很好的效益。


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