扩散硅压力传感器及变送器参数测试系统
采用具有自校验和信号调理功能的24 位ADC ,开发设计了一种高精度数据采集系统. 该系统能对扩散硅压阻传感器和变送器的特性参数进行高精度的检测;同时,亦可对热电偶等具有毫伏信号输出的传感器进
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采用具有自校验和信号调理功能的24 位ADC ,开发设计了一种高精度数据采集系统. 该系统能对扩散硅压阻传感器和变送器的特性参数进行高精度的检测;同时,亦可对热电偶等具有毫伏信号输出的传感器进
单晶硅SO I 高温压力传感器是一种新型高性能高温压力传感器。它与扩散硅压力传感器相比有较高的工作温度, 与多晶硅高温压力传感器相比有更高的工作灵敏度。这主要得益于它采用了单晶硅膜的SO I 结构。本
利用硅烷法将ssDNA 固化T方向切割、3. 58MHz 和10MHz 石英晶体金电极上,构建了压电DNA传感器,建立了快速检测葡萄球菌肠毒素B(SEB) 基因的方法。优化了固定SEB 基因的条件,并
随着波导材料的研究和进展,采用新的波导材料设计出了一种波导式压力传感器,就光波导压力传感器的原理和特性作了一个简要阐述,对它的工艺流程作了详细的描述。关键词:光波导压力传感器; 硅微机械法;
循序渐进讲解电感式传感器的工作原理,涵盖变磁阻式传感器的电气参数分析、自感式与互感式传感器(差动变压器)的设计与应用,适合深入理解传感器技术的核心内容。
一般的压阻式硅微加速度传感器结构多采用悬臂梁加质量块的形式, 这种结构的传感器有很高的灵敏度, 但它会产生很高的横向效应。文中介绍一种八梁结构的三轴加速度传感器, 通过用ANSYS有限元分析软
采用硅隔离So I (Silicon on Insulator) 技术,应用高能氧离子的注入方法,在单晶硅材料中形成埋层二氧化硅,用以隔离作为测量电路的顶部硅层与体硅之间因温度升高而造成
采用硅隔离So I (Silicon on Insulator) 技术,应用高能氧离子的注入方法,在单晶硅材料中形成埋层二氧化硅,用以隔离作为测量电路的顶部硅层与体硅之间因温度升高而造成的漏电