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基于硅隔离技术的耐高温压力传感器研究

  • 资源大小:179 K
  • 上传时间: 2023-12-18
  • 上传用户:jiabin
  • 资源积分:2 下载积分
  • 标      签: 压力传感器

资 源 简 介

采用硅隔离So I (Silicon on Insulator) 技术,应用高能氧离子的注入方法,在单晶硅材料中形
成埋层二氧化硅,用以隔离作为测量电路的顶部硅层与体硅之间因温度升高而造成的漏电

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