基于硅隔离技术的耐高温压力传感器研究 - 免费下载
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资源简介
采用硅隔离So I (Silicon on Insulator) 技术,应用高能氧离子的注入方法,在单晶硅材料中形
成埋层二氧化硅,用以隔离作为测量电路的顶部硅层与体硅之间因温度升高而造成
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