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标签： 功率半导体器件
上传时间： 2021-12-01
上传用户：20125101110
cad,电气,符号,gb4728,全部,打包,下载，PCCAD7.1电器符号，半导体管、电子管符号，测量仪表、灯和信号器件符号，常用符号，电力照明一般符号,变电站、所符号，电能的发生和转换符号，开关控制和保护装置图形符号，无源元件符号
上传时间： 2021-12-02
上传用户：trh505
作者：何亮，刘扬论文摘要：氮 化 镓 (G a N )材 料 具 有 优 异 的 物 理 特 性 ，非 常 适 合 于 制 作 高 温 、高 速 和 大 功 率 电 子 器 件 ，具 有 十 分 广 阔 的 市场前景 。 S i衬 底 上 G a N 基 功 率 开 关 器 件 是 目 前 的 主 流 技 术 路 线 ，其 中 结 型 栅 结 构 （p 型 栅 ）和 共 源 共 栅 级 联 结 构 (C asco de)的 常 关 型 器 件 已 经 逐 步 实 现 产 业 化 ，并 在 通 用 电 源 及 光 伏 逆 变 等 领 域 得 到 应 用 。但 是 鉴 于 以 上 两 种 器 件 结 构 存 在 的 缺 点 ，业 界 更 加 期 待 能 更 充 分 发 挥 G a N 性能的 “ 真 ” 常 关 M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面实用 化 ，仍 然 面 临 着 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 稳 定 性 方 面 的 挑 战 。
上传时间： 2021-12-08
上传用户：XuVshu
请注意以下有关Microchip器件代码保护功能的要点：•Microchip的产品均达到Microchip数据手册中所述的技术指标。•Microchip确信：在正常使用的情况下，Microchip系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一。•目前，仍存在着恶意、甚至是非法破坏代码保护功能的行为。就我们所知，所有这些行为都不是以Microchip数据手册中规定的操作规范来使用Microchip产品的。这样做的人极可能侵犯了知识产权。•Microchip愿与那些注重代码完整性的客户合作。•Microchip或任何其他半导体厂商均无法保证其代码的安全性。代码保护并不意味着我们保证产品是“牢不可破”的。代码保护功能处于持续发展中。Microchip承诺将不断改进产品的代码保护功能。任何试图破坏Microchip代码保护功能的行为均可视为违反了《数字器件千年版权法案（Digital Millennium Copyright Act）》。如果这种行为导致他人在未经授权的情况下，能访问您的软件或其他受版权保护的成果，您有权依据该法案提起诉讼，从而制止这种行为。QUALITYMANAGEMENTSYSTEMCERTIFIEDBYDNV== ISO/TS16949==商标Microchip的名称和徽标组合、Microchip
上传时间： 2021-12-15
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固体物理学 第二版作 者： 胡安，章维益 编内容简介 《固体物理学（第2版）》是普通高等教育“十一五”国家级规划教材，是根据作者多年来在南京大学讲授固体物理的讲稿整理而成的。《固体物理学（第2版）》力求在传统固体物理的理论框架下，穿插一些新的进展内容，尽量不涉及高等量子力学和复杂的数学处理，做到物理图像清晰，内容融会贯通。本次修订在保持第一版的结构框架和理论体系的基础上，增加了双交换、布洛赫电子平均速度的推导、铁磁体外场磁化过程等内容，统一了全书的数学符号和公式表达并更换了部分插图。《固体物理学（第2版）》可作为高等院校物理类专业本科生、研究生的固体物理教材，也可供其他专业的师生及社会读者参考。目录第一章 晶体的结构及其对称性第二章 晶体的结合第三章 晶格动力学和晶体的热学性质第四章 能带论第五章 金属电子论第六章 半导体电子论第七章 固体磁性第八章 超导电性
标签： 固体物理学
上传时间： 2021-12-23
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NS32F103C8T6是深圳新域半导体量产的一颗完美替代STM32F103C8T6的芯片，软硬件通用，不需要改动任何地方，性能测试稳定，价格便宜，目前已经有许多工控客户群体量产使用。
标签： NS32F103C8T6 STM32F103C8T6
上传时间： 2022-01-10
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传统集成电路，封装的成本相对较低；但是在某些器件中，封装成本已接近器件成本的1/2；在MEMS/微系统中，封装可能比芯片制造更加困难，成本可能上升为70%～90%；封装已经成为新器件商业化的瓶颈
标签： 半导体封装
上传时间： 2022-01-13
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PCB联盟网-科普知识--《电子封装材料与工艺》 学习笔记 54页本人主要从事 IC 封装化学材料（电子胶水）工作，为更好的理解 IC 封装产业的动态和技术，自学了《电子封装材料 与工艺》，貌似一本不错的教材，在此总结出一些个人的学习笔记和大家分享。此笔记原发在本人的“电子中，有兴趣的朋友可以前去查看一起探讨第一章 集成电路芯片的发展与制造 1、原子结构：原子是由高度密集的质子和中子组成的原子核以及围绕它在一定轨道（或能级）上旋 转的荷负电的电子组成（Neils Bohr 于 1913 年提出）。当原子彼此靠近时，它们之间发生交互作用 的形成所谓的化学键，化学键可以分成离子键、共价键、分子键、氢键或金属键； 2、真空管（电子管）： a.真空管问世于 1883 年 Edison（爱迪生）发明白炽灯时，1903 年英格兰的 J.A.Fleming 发现了真 空管类似极管的作用。在爱迪生的真空管里，灯丝为阴极、金属板为阳极； b.当电子管含有两个电极（阳极和阴极）时，这种电路被称为二极管，1906 年美国发明家 Lee DeForest 在阴极和阳极之间加入了一个栅极（一个精细的金属丝网），此为最早的三极管，另外更 多的电极如以致栅极和帘栅极也可以密封在电子管中，以扩大电子管的功能； c.真空管尽管广泛应用于工业已有半个多世纪，但是有很多缺点，包括体积大，产生的热量大、容 易烧坏而需要频繁地更换，固态器件的进展消除了真空管的缺点，真空管开始从许多电子产品的使 用中退出； 3、半导体理论： a.在 IC 芯片制造中使用的典型半导体材料有元素半导体硅、鍺、硒，半导体化合物有砷化镓（GaAs）、 磷砷化镓（GaAsP）、磷化铟（InP）； b.二极管（一个 p-n 结），当结上为正向偏压时可以导通电流，当反向偏压时则电流停止； c.结型双极晶体管：把两个或两个以上的 p-n 结组合成一个器件，导致了之！
上传时间： 2022-02-06
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这是一篇哈尔滨工业大学2012年 物理电子学工学博士的毕业论文。相干多普勒激光雷达是测量遥感风场和运动目标速度的有力工具。相干多普勒激光雷达的发射源普遍使用单纵模激光器，而锁模激光所具有的宽频谱、窄脉宽、高峰值功率等特性使其在作为相干激光雷达发射源方面具有潜在的应用价值。本文从理论上和实验上对基于锁模激光的相干多普勒激光雷达进行了研究。 理论上，在单频外差探测原理的基础上，考虑了具有 m+1 个模式、纵模间隔为 ω 的本振光，与发生了 Δω 频移的信号光相干拍频后的理论模型，证明了相位差恒定的锁模激光可以实现相干混频，并可以通过低通滤波或 FFT 频谱分析的方式检测出差频信号。利用这一理论模型进行了数值模拟计算，分析了信号光在不同的频移值时的拍频波形，讨论了实现相干探测本振光与信号光应满足的条件。 基于相干多普勒激光雷达系统对发射光源的要求，进行了锁模激光器的实验研究。通过使用不同的锁模器件得到锁模激光输出，其中主动锁模和调 Q 主动锁模都获得了单脉冲宽度在百皮秒量级、锁模深度 100%、锁模几率 95%以上的稳定的锁模脉冲序列输出。对被动锁模、主动锁模、调 Q 主动锁模的激光输出特性进行了对比研究，主动锁模脉冲序列包络时间较长但峰值功率较低，而调 Q 主动锁模峰值功率高但包络时间较短，不同类型的激光输出为后续的相干测速实验提供了多种选择。 利用声光移频器模拟外差探测中信号光发生的多普勒频移，进行了锁模激光拍频实验研究，并与单纵模激光拍频实验结果进行了比较。使用锁模激光在频移为 30 ~ 80 MHz 的范围内进行了拍频实验研究，拍频波形及信号处理的结果均与理论分析相符， 测量结果的相对误差在 0.5%以下。 分别使用脉宽为 10 ns和 16 ns 的调 Q 单纵模脉冲进行拍频，在信号光频移为 150 MHz 时测量结果的相对误差分别为 3.7%和 1.6%。对比实验结果发现，调 Q 单纵模脉冲由于有限的脉宽限制了拍频后包络的数量，导致误差相对较大，而锁模脉冲序列由于具有较长包络时间，在测量较低频移值时仍具有较高的精度，即测量低速目标时更具有优势。在具有较长包络时间的同时，锁模激光还具有高峰值功率和窄脉宽的特点。使用光纤耦合的方式进行了相干拍频实验，得到了稳定的相干拍频波形，FFT 频谱分析的结果与设定值和理论分析相符。
标签： 激光雷达
上传时间： 2022-02-12
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电子书-数字集成电路物理设计_[陈春章]302页随着电子计算机的普及，人 类 社 会 巳 经 进 入 了 信 息 化 社 会 。以集成电路 为代表的微电子技术是信息科学技术的核心技术。集成电路产业是关系经济 建 设 、社会发展和国家安全的战略性产业。集成电路技术伴随着半导体技术、 计算机技术、多媒体技术、移 动 通信等技术的不 断创新 ，得 到 了 迅猛发展 。从 1958年美国的基尔比发明世界上第一块集成电路以来，集成电路巳经从初期 的小规模集成电路(SSI)发 展 到 今 天 的系统芯片（SoC)，集成电路一直按摩尔 定律(Moore law )向前演进。集成电路产业包含了相对独立的集成电路设计、 集成电路加工制造、集成电路封装测试、集成电路材料、集成电路设备 业等，而 其中的集成电路设计是集成电路产业发展的龙头。 ^ 近 年 来 ，我国的集成电路产业迅速发展。2000年以来我国的集成电路产 值 年 平均增长率达 到 30%左 右 。坚 持 自 主发展，增强技术创新能力和产业核 心竞争力，掌握集成电路的核心技术，提高具有自主知识产权产品的比重是我 们的历史性任务。 发 展 集成电路技术的关 键 是 培养具 有 创 新 和 创 业 能 力 的专业人 才 ，因此 高质量、较快速度地培养集成电路人才是我们的迫切任务。毫无疑 问 ，大学和 大学老师义不容辞地要担负起这一历史责任。2003年 以 来 ，教育部先后在全 国部分重点高校建设了“ 国家集成电路人才培养 基地”，国务院学位委员会又 在 2006年批准设立集成电路工程领域培养工程硕士学位课程，
标签： 集成电路
上传时间： 2022-02-20
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