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8310是一款内部集成了上、下MOS管的同步整流降压型高效率开关变换器，上、下管的规格分别为36V 耐压/360 mΩ内阻，36V耐压/170mΩ内阻。该变换器可以在4.5V~36V的宽输入电压范围内输出1.5A连续电流。内部采用了逐周期的峰值电流控制模式，使得芯片能够实现快速动态响应的要求。同时8310集成了线补，内部补偿电路，可设置 ...
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半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求样品为薄膜样品或块状， 范德堡法为更通用的四探针测量技术，对样品形状没有要求， 且不需 ...
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技术资料 《元器件与电磁兼容》学习笔记 在网上获得好资料 与大家分享
今天偶尔在网上淘到的好东西  自己看了一遍感觉还可以  尤其对于刚刚入门电子的学员来说 可以借鉴一下《元器件与电磁兼容》学习笔记作者：孙嘉豪第 1 讲导论................................................................................................................................ 3第 2 讲导线... ...