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MEMS真空熔焊封装工艺研究 - 资源详细说明
MEMS真空封装是提高MEMS惯性器件性能的主要手段。本文应用实验方法，在真空熔焊工艺设备上研究了MEMS器件金属外壳真空封装工艺。对不同镀层结构的外壳进行了封装实验比较和气密性测试，结果发现，金属外壳表面镀Ni和镀Au或管座表面镀Ni和Au、管帽表面镀Ni可有效的提高真空封装的气密性和可靠性，其气密性优于5×10-9 Pa·m3／s。封装样品的高低温循环实验和真空保持特性的测量结果说明，金属外壳真空熔焊工艺可基本满足MEMS器件真空封装工艺的要求，并测得真空度为5 Pa—15 Pa左右。MEMS陀螺仪的封装应用也说明了工艺的可行性。
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