对基于BCB的圆片级封装工艺进行了研究，该工艺代表了MEMS加速度计传感器封装的发展趋势，是MEMS加速度计产业化的关键。选用3000系列BCB材料进行MEMS传感器的粘结键合工艺试验，解决了圆片级封装问题，在低温250 ℃和适当压力辅助下≤2.5 bar（1 bar=100 kPa）实现了加速度计的圆片级封装，并对相关的旋涂、键合、气氛、压力等诸多工艺参数进行了优化。
上传时间： 2013-11-17
上传用户：JasonC
MEMS真空封装是提高MEMS惯性器件性能的主要手段。本文应用实验方法，在真空熔焊工艺设备上研究了MEMS器件金属外壳真空封装工艺。对不同镀层结构的外壳进行了封装实验比较和气密性测试，结果发现，金属外壳表面镀Ni和镀Au或管座表面镀Ni和Au、管帽表面镀Ni可有效的提高真空封装的气密性和可靠性，其气密性优于5×10-9 Pa·m3／s。封装样品的高低温循环实验和真空保持特性的测量结果说明，金属外壳真空熔焊工艺可基本满足MEMS器件真空封装工艺的要求，并测得真空度为5 Pa—15 Pa左右。MEMS陀螺仪的封装应用也说明了工艺的可行性。
上传时间： 2016-07-26
上传用户：leishenzhichui
选用4000系列BCB材料进行MEMS传感器的粘接键合工艺试验，解决了圆片级封装问题，采用该技术成功加工出具有三层结构的圆片级封装某种惯性压阻类传感器。依据标准GJB548A对其进行了剪切强度和检漏测试，测得封装样品漏率小于5×10pa·cm3／s，键合强度大于49 N，满足考核要求。
上传时间： 2016-07-26
上传用户：leishenzhichui
本文大致可划分为四大部分。首先简单探讨LED，其次重点论述LED封装技术，然后简单介绍LED相关术语、LED相关工具，最后总结。经过对大量文献的阅读分析论证，LED封装技术主要涉及到封装设计、封装材料、封装设备、封装过程、封装工艺五大方面。封装设计是先导，封装材料是基础，封装设备是关键，封装过程是支柱，封装工艺是核心。封装过程大致可分为固品、焊线、灌胶、测试、分光五个阶段。封装工艺，主要体现为生产过程中的各个阶段各个环节各个步骤的技术要领和注意事项，在LED封装生产中至关重要，否则即使芯片质量好、辅材匹配好、设备精度高、封装设计优，若工艺不正确或品控不严格，最终也会影响LED封装产品的合格率、可靠性、热学特性及光学特性等。总之，合格的工艺能保证LED器件的质量，改进的工艺能降低LED器件的成本，先进的工艺能提高LED器件的性能。因此，本文重点在于对LED封装工艺进行分析和综合，简单介绍了封装设计，封装材料、封装设备、封装过程，详细地说明了封装工艺，总结了LED封装工艺的技术要领、注意事项，明确了LED封装有哪些工序、流程、制程、过程、环节，每个工序用什么材料，材料怎么检查怎么仓储怎么使用，用什么工具，工具怎么使用，操作步骤顺序和方法是怎样的，操作中要注意哪些事项，执行要达到什么标准，还分析了死灯的原因，介绍了LED封装生产过程中的静电防护措施。
标签： led
上传时间： 2022-06-26
上传用户：zhaiyawei
有机发光显示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作为下一代显示器倍受关注，它具有轻、薄、高亮度、快速响应、高清晰度、低电压、高效率和低成本等优点，完全可以媲美CRT、LCD、LED等显示器件。作为全固化显示器件，OLED的最大优越性是能够与塑料晶体管技术相结合实现柔性显示，应用前景非常诱人。OLED如此众多的优点和广阔的商业前景，吸引了全球众多研究机构和企业参与其研发和产业化。然而，OLED也存在一些问题，特别是在发光机理、稳定性和寿命等方面还需要进一步的研究。要达到这些目标，除了器件的材料，结构设计外，封装也十分重要。 本论文的主要工作是利用现有的材料，从绿光OLED器件制作工艺、发光机理，结构和封装入手，首先，探讨了作为阳极的ITO玻璃表面处理工艺和ITO玻璃的光刻工艺。ITO表面的清洁程度严重影响着光刻质量和器件的最终性能；ITO表面经过氧等离子处理后其表面功函数增大，明显提高了器件的发光亮度和发光效率。 其次，针对光刻、曝光工艺技术进行了一系列相关实验，在光刻工艺中，光刻胶的厚度是影响光刻质量的一个重要因素，其厚度在1.2μm左右时，光刻效果理想。研究了OLED器件阴极隔离柱成像过程中的曝光工艺，摸索出了最佳工艺参数。 然后采用以C545T作为绿光掺杂材料制作器件结构为ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％掺杂比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的绿光OLED器件。最后基于以上器件采用了两种封装工艺，实验一中，在封装玻璃的四周涂上UV胶，放入手套箱，在氮气保护气氛下用紫外冷光源照射1min进行一次封装，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封装玻璃接口处涂上UV胶，真空下用紫外冷光源照射1min，固化进行二次封装。实验二中，在各功能层蒸镀完成后，又在阴极的外面蒸镀了一层薄膜封装层，然后再按实验一的方法进行封装。薄膜封装层的材料分别为硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)。分别对两种封装工艺器件的电流-电压特性、亮度-电压特性、发光光谱及寿命等特性进行了测试与讨论。通过对比，研究发现增加薄膜封装层器件的寿命比未加薄膜封装层器件寿命都有所延长，其中，Se薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.4倍，Te薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了两倍多，Sb薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.3倍，研究还发现薄膜封装层基本不影响器件的电流-电压特性、色坐标等光电性能。最后，分别对三种薄膜封装层材料硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)进行了研究。
上传时间： 2013-07-11
上传用户：liuwei6419
对微机电系统(Micro electro mechanical systems，MEMS)组装与封装工艺的特点进行了总结分析，给出了MEMS组装与封装设备的研究现状。针对MEMS产业发展的特点，分析了面向MEMS组装与封装的微操作设备中的工艺参数优化数据库、快速精密定位、模块化作业工具、快速显微视觉、柔性装夹和自动化物流等关键技术。在此基础上，详细介绍了研制的MEMS传感器阳极化键合设备和引线键合设备的组成结构，工作原理，并给出了组装和封装试验结果。最后，指出了MEMS组装与封装技术及设备研制的发展趋势。
上传时间： 2016-07-26
上传用户：leishenzhichui
结合典型的焊料键合MEMS真空封装工艺，应用真空物理的相关理论，建立了封装腔体的真空度与气体吸附和解吸、气体的渗透、材料的蒸气压、气体通过小孔的流动等的数学模型，确定了其数值模拟的算法．通过实验初步验证了模拟结果的准确性，分析了毛细孔尺寸对腔体和烘箱真空度的影响，实现了MEMS器件真空封装工艺的参数化建模与模拟和仿真优化设计．
上传时间： 2016-07-26
上传用户：leishenzhichui
MEMS中的封装工艺与半导体工艺中的封装具有一定的相似性!因此!早期MEMS的封装 大多借用半导体中现成的工艺%本文首先介绍了封装的主要形式!然后着重阐述了晶圆级封装与芯片级封装&!’%最后给出了一些商业化的实例%
上传时间： 2016-07-26
上传用户：leishenzhichui
本文件为ppt格式，初步介绍微电子器件的封装工艺，推荐下载！
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上传时间： 2015-03-23
上传用户：ruixue198909
拉扎维经典著作，陈贵灿等翻译。介绍了mos工艺短沟道效应\ 单级和差动放大频响反馈/震荡/封装工艺等
标签： 模拟cmos集成电路
上传时间： 2015-09-12
上传用户：牙膏没有泡泡
