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tm1650有什么替代型号?

  • Butterworth函数的高阶低通滤波器的有源设计

    Butterworth函数的高阶低通滤波器的有源设计

    标签: Butterworth 函数 低通滤波器 有源

    上传时间: 2013-11-20

    上传用户:旗鱼旗鱼

  • 计算二阶有源滤波、一阶有源滤波、阻容充放电

    计算二阶有源滤波、一阶有源滤波、阻容充放电。

    标签: 有源滤波 计算 二阶 充放电

    上传时间: 2013-11-17

    上传用户:hgmmyl

  • COOLMOS_原理结构

    看到不少网友对COOLMOS感兴趣,把自己收集整理的资料、个人理解发出来,与大家共享。个人理解不一定完全正确,仅供参考。COOLMOS(super junction)原理,与普通VDMOS的差异如下: 对于常规VDMOS器件结构,大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson就大了。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区,大大提高了BV,同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区,就能大大提高耐压呢?

    标签: COOLMOS

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:标点符号

  • CoolMos的原理、结构及制造

    对于常规VDMOS器件结构, Rdson与BV存在矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson增大。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区,大大提高了BV,同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区,就能大大提高耐压呢? 对于常规VDMOS,反向耐压,主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结,对于一个PN结,耐压时主要靠的是耗尽区承受,耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积,也就是下图中的浅绿色部分,就是承受电压的大小。常规VDMOS,P body浓度要大于N EPI, PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散,所以此结构下,P body区域一侧,耗尽区扩展很小,基本对承压没有多大贡献,承压主要是P body--N EPI在N型的一侧区域,这个区域的电场强度是逐渐变化的,越是靠近PN结面(a图的A结),电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。

    标签: CoolMos 制造

    上传时间: 2013-11-11

    上传用户:小眼睛LSL

  • 集成低噪声VCO的ADF4350系列PLL之特性和应用

    ADF4350/1系列是什么?

    标签: 4350 VCO ADF PLL

    上传时间: 2013-12-27

    上传用户:Miyuki

  • 555定时器的应用

    相信大家对555的用法有很多见解,但是否全面呢?愿对大家有所帮助。

    标签: 555 定时器

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:lingzhichao

  • 用于图像分类的有偏特征采样方法

    为了模拟图像分类任务中待分类目标的可能分布,使特征采样点尽可能集中于目标区域,基于Yang的有偏采样算法提出了一种改进的有偏采样算法。原算法将目标基于区域特征出现的概率和显著图结合起来,计算用于特征采样的概率分布图,使用硬编码方式对区域特征进行编码,导致量化误差较大。改进的算法使用局部约束性编码代替硬编码,并且使用更为精确的后验概率计算方式以及空间金字塔框架,改善了算法性能。在PASCAL VOC 2007和2010两个数据集上进行实验,平均精度比随机选取的特征采样方法能够提高约0.5%,验证了算法的有效性。

    标签: 图像分类 特征采样

    上传时间: 2013-10-24

    上传用户:wawjj

  • 模块时代之ADI实验室电路

    “半导体厂商越来越倾向于提供一揽子的解决方案,用以帮助客户以最快的速度和最低的研发成本推出新产品,一个典型的例子就是“山寨手机”,但手机毕竟是高度集成的数字化产品,那么模拟电路的应用是否也可以走同样的路呢?看来已经有厂家在这么做了,ADI实验室电路的推出就是解决模拟电路/模拟-数字混合电路应用的一揽子解决方案。”

    标签: ADI 模块 实验室电路

    上传时间: 2013-12-13

    上传用户:love_stanford

  • 二阶有源低通滤波电路分析

    设计一种压控电压源型二阶有源低通滤波电路,并利用Multisim10仿真软件对电路的频率特性、特征参量等进行了仿真分析,仿真结果与理论设计一致,为有源滤波器的电路设计提供了EDA手段和依据。

    标签: 二阶 有源低通滤波 电路分析

    上传时间: 2013-11-12

    上传用户:名爵少年

  • 运算放大器中的虚断虚短应用

      虚短和虚断的概念   由于运放的电压放大倍数很大,一般通用型运算放大器的开环电压放大倍数都在80 dB以上。而运放的输出电压是有限的,一般在 10 V~14 V。因此运放的差模输入电压不足1 mV,两输入端近似等电位,相当于 “短路”。开环电压放大倍数越大,两输入端的电位越接近相等。   “虚短”是指在分析运算放大器处于线性状态时,可把两输入端视为等电位,这一特性称为虚假短路,简称虚短。显然不能将两输入端真正短路。   由于运放的差模输入电阻很大,一般通用型运算放大器的输入电阻都在1MΩ以上。因此流入运放输入端的电流往往不足1uA,远小于输入端外电路的电流。故 通常可把运放的两输入端视为开路,且输入电阻越大,两输入端越接近开路。“虚断”是指在分析运放处于线性状态时,可以把两输入端视为等效开路,这一特性 称为虚假开路,简称虚断。显然不能将两输入端真正断路。   在分析运放电路工作原理时,首先请各位暂时忘掉什么同向放大、反向放大,什么加法器、减法器,什么差动输入……暂时忘掉那些输入输出关系的公式……这些东东只会干扰你,让你更糊涂﹔也请各位暂时不要理会输入偏置电流、共模抑制比、失调电压等电路参数,这是设计者要考虑的事情。我们理解的就是理想放大器(其实在维修中和大多数设计过程中,把实际放大器当做理想放大器来分析也不会有问题)。

    标签: 运算放大器 虚断

    上传时间: 2013-11-04

    上传用户:181992417