介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR），整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。
上传时间： 2013-10-26
上传用户：thesk123
LTM®4616 是一款雙路輸入、雙路輸出 DC/DC μModule™ 穩壓器，采用 15mm x 15mm x 2.8mm LGA 表面貼裝型封裝。由於開關控制器、MOSFET、電感器和其他支持元件均被集成在纖巧型封裝之內，因此只需少量的外部元件。
上传时间： 2013-10-27
上传用户：顶得柱
LT®8610 和 LT8611 是 42V、2.5A 同步降压型稳压器，可满足汽车、工业和通信应用严格的高输入电压及低输出电压要求。为尽量减少外部组件并压缩解决方案尺寸，上管和下管电源开关集成在一种同步稳压器拓扑中，包括了内部补偿功能电路。即使在调节输出的过程中，稳压器从输入电源消耗的静态电流也仅为 2.5μA。
上传时间： 2014-12-23
上传用户：源码3
利用RC高通电路的思想，针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度，而且瞬态增强电路工作的过程中，系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信号工艺。仿真结果表明：整个LDO是静态电流为3.2 μA；相位裕度保持在90.19°以上；在电源电压为1.8 V，输出电压为1.3 V的情况下，当负载电流在10 ns内由100 mA降到50 mA时，其建立时间由原来的和28 μs减少到8 μs；而在负载电流为100 mA的条件下，电源电压在10 ns内，由1.8 V跳变到2.3 V时，输出电压的建立时间由47 μs降低为15 μs。
上传时间： 2013-12-20
上传用户：niumeng16
基于1 μm 40V BCD 工艺，使用Cadence软件对原边反馈AC/DC控制器进行仿真和分析。线补偿技术可以使原边反馈AC/DC电路获得很好的负载调整率，抵消电感上所消耗的电压和整流二极管上的压降，使输出达到的最佳值。在输入加220 V交流电压时，输出结果最大值为5.09 V，最小值为5 V，最大负载调整率为9.609%。
上传时间： 2013-10-19
上传用户：sglccwk
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变正温度电压的系数，以适应不同工艺下负温度系数的变化，最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz时电源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz时（PSRR）达到-64 dB；在4 V电源电压下，在-40～80 ℃范围内的不同工艺角下，温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。
上传时间： 2014-12-03
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ADuM320x是采用ADI公司iCoupler® 技术的双通道数字隔离器。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片变压器技术融为一体，具有优于光耦合器等替代器件的出色性能特征。 iCoupler器件不用LED和光电二极管，因而不存在一般与光耦合器相关的设计困难。简单的iCoupler 数字接口和稳定的性能特征，可消除光耦合器通常具有的电流传输比不确定、非线性传递函数以及温度和使用寿命影响等问题。这些iCoupler 产品不需要外部驱动器和其它分立器件。此外，在信号数据速率相当的情况下，iCoupler 器件的功耗只有光耦合器的1/10至1/6。 ADuM320x隔离器提供两个独立的隔离通道，支持多种通道配置和数据速率（请参考数据手册“订购指南”部分）。两款器件均可采用2.7 V至5.5 V电源电压工作，与低压系统兼容，并且能够跨越隔离栅实现电压转换功能。ADuM320x隔离器具有已取得专利的刷新特性，可确保不存在输入逻辑转换时及上电/关断条件下的直流正确性。 与ADuM120x隔离器相比，ADuM320x隔离器包含多项电路和布局改进，系统级IEC 61000-4-x测试（ESD、突波和浪涌）显示其性能大大增强。对于ADuM120x或ADuM320x产品，这些测试的精度主要取决于用户电路板或模块的设计与布局。 应用 --尺寸至关重要的多通道隔离 --SPI 接口/数据转换器隔离 --RS-232/RS-422/RS-485收发器隔离 --数字现场总线隔离 特性： 增强的系统级ESD保护性能，符合IEC 61000-4-x标准 工作温度最高可达：125℃ 8引脚窄体SOIC封装，符合RoHS标准 技术指标： 高共模瞬变抗扰度：>25 kV/μs 双向通信 - 3 V/5 V 电平转换 - 高数据速率：dc 至 25 Mbps（NRZ）
上传时间： 2013-10-11
上传用户：skhlm
ADM2582E/ADM2587E是具备±15 kV ESD保护功能的完全集成式隔离数据收发器，适合用于多点传输线路上的高速通信应用。ADM2582E/ADM2587E包含一个集成式隔离DC-DC电源，不再需要外部DC/DC隔离模块。 该器件针对均衡的传输线路而设计，符合ANSI TIA/EIA-485-A-98和ISO 8482:1987(E)标准。 它采用ADI公司的iCoupler®技术，在单个封装内集成了一个三通道隔离器、一个三态差分线路驱动器、一个差分输入接收器和一个isoPower DC/DC转换器。该器件采用5V或3.3V单电源供电，从而实现了完全集成的信号和电源隔离RS-485解决方案。 ADM2582E/ADM2587E驱动器带有一个高电平有效使能电路，并且还提供一个高电平接收机有效禁用电路，可使接收机输出进入高阻抗状态。 该器件具备限流和热关断特性，能够防止输出短路。 隔离的RS-485/RS-422收发器，可配置成半双工或全双工模式 isoPower™集成式隔离DC/DC转换器 在RS-485输入/输出引脚上提供±15 kV ESD保护功能 符合ANSI/TIA/EIA-485-A-98和ISO 8482:1987(E)标准 ADM2587E数据速率： 500 kbps 5 V或3.3V电源供电 总线上拥有256个节点 开路和短路故障安全接收机输入 高共模瞬态抑制能力： >25 kV/μs 热关断保护
上传时间： 2013-10-26
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LM2596开关电压调节器是降压型电源管理单片集成电路，能够输出3A的驱动电流，同时具有很好的线性和负载调节特性。固定输出版本有3.3V、5V、12V， 可调版本可以输出小于37V的各种电压。 该器件内部集成频率补偿和固定频率发生器，开关频率为150KHz，与低频开关调节器相比较，可以使用更小规格的滤波元件。由于该器件只需4个外接元件，可以使用通用的标准电感，这更优化了LM2596的使用，极大地简化了开关电源电路的设计。 其封装形式包括标准的5脚TO-220封装（DIP）和5脚TO-263表贴封装（SMD）。 该器件还有其他一些特点：在特定的输入电压和输出负载的条件下，输出电压的误差可以保证在±4%的范围内，振荡频率误差在±15%的范围内；可以用仅80μA的待机电流， 实现外部断电；具有自我保护电路（一个两级降频限流保护和一个在异常情况下断电的过温完全保护电路） ※ 3.3V、5V、12V的固定电压输出和可调电压输出 ※ 可调输出电压范围1.2V～37V±4% ※ 输出线性好且负载可调节 ※ 输出电流可高达3A ※ 输入电压可高达40V ※ 采用150KHz的内部振荡频率，属于第二代开关电压调节器，功耗小、效率高 ※ 低功耗待机模式，IQ的典型值为80μA ※ TTL断电能力 ※ 具有过热保护和限流保护功能 ※ 封装形式：TO-220（T）和TO-263（S） ※ 外围电路简单，仅需4个外接元件， 且使用容易购买的标准电感
上传时间： 2014-12-24
上传用户：ttpay
Battery powered applications that have a signifi cantamount of time in standby mode, require electrical circuitsto operate with a low quiescent current to preserve batterylife. The LTC3835 synchronous step-down controlleris an excellent solution with its ultralow quiescent current(80μA). Other features make it uniquely qualifi ed tosatisfy the needs of automotive applications. A wide 4Vto 36V input voltage range protects the supply againsthigh input voltage transients and is compatible with lowvoltage cold crank conditions. The constant frequencycurrent-mode architecture with high-side inductor current
上传时间： 2013-11-19
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