IGBT

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MetalOxideSemiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有（Me...

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IGBT 全部资料 362 份

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微计算机正日益渗透到电力电子各个方面。新型的功率开关元件ＩＧＢＴ也不断提高性价比，取代传统的ＧＴＲ和ＭＯＳＦＥＴ，两者相结合使得功率电源装置朝高频方面迅速发展，既填补了许多应用空白，也逐步取代一些传统...

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以半桥式逆变焊机为例,研制了以80C552单片机为核心的控制系统,介绍了该控制系统的控制原理及硬、软件的组成.经过实验研究表明:采用该系统控制自行研制的ZX7-500 IGBT焊机,焊接参数稳定,电流...

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 N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下，不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降，得...

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IGBT技术资料简介

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MetalOxideSemiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（GiantTransistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

相关技术领域： 单片机控制 半桥式 直流电源 80C196 单片机 80C552 PT-IGBT 缓冲层 PIC_Hi-Tech_C_Mike_Pearces_phase_ controller_TRIAC_or_IGBT 50 60