IGBT

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MetalOxideSemiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有（Me...

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IGBT 全部资料 362 份

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提出采用双级变换电路的方法,研制出一种新型的单相有源逆变蓄电池回馈放电装置,主要介绍了本放电装置中IGBT器件的驱动电路的设计,对从事电力电子技术特别是对从蓄电池放电技术研究的工程技术人员具有较高的参...

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随着全控型器件（目前主要是功率MOSPET与IGBT）的广泛使用以及脉宽调制技术的成熟，高频软开关电源也获得了极快地发展。变换电能的电源是以满足人们使用电源的要求为出发点的，根据不同的使用要求和特点对...

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许多高保真音响爱好者更喜欢以三极管模式工作，而且直到现在也不得不将输出功率降低50%。输出功率降低意味着他们需要更大的电源和两倍数量的昂贵电子管来从三极管放大器中获得五极管的功率。...

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本文以感应加热电源为研究对象，阐述了感应加热电源的基本原理及其发展趋势。对感应加热电源常用的两种拓扑结构--电流型逆变器和电压型逆变器做了比较分析，并分析了感应加热电源的各种调功方式。在对比几种功率调...

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目前电力系统发展的趋势是向用户提供高质量的电能，而机械开关技术是进一步提高电能质量的瓶颈，为此需要设计新型的开关技术。本文在介绍了混合式转换开关的工作原理及其动作过程的基础上，针对其中关键的换流电路进...

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：在兆瓦级机车牵引变流器的研制中，为解决高压大功率IGBT并联使用的驱动问题，选 用了新型实用的驱动模块IGD515EI。介绍了这种模块的主要性能、内部结构和以IGD515EI为核心 设计的驱动电...

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IGBT技术资料简介

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MetalOxideSemiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（GiantTransistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

相关技术领域： 测试 电子 半导体测试 单相正弦波 逆变蓄电池 放电 应用于 保护 模块 igbt 开关电源 IPM