IGBT

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MetalOxideSemiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有（Me...

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IGBT 全部资料 362 份

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介绍了一种适用于大功率IGBT 的新型驱动模块,该模块工作频率高,驱动电流大,具有完善的短路、过 流保护和电源监控功能。 关键词:模块;过电流保护;驱动/ 绝缘栅双极晶体管 中图分类号: TM9...

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针对IGBT逆变弧焊机可靠性问题讨论，提出了采用电流型PWM控制电路逐个脉冲进行检测的控制方法。试验结果表明：该控制方法具有控制线路简单，可靠性高的特点。IGBT逆变焊机以优良的焊接性能、节能...

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· 摘要：  矩阵变频器是一种新型的交-交直接变换器,具有控制性能优良、成本低、结构紧凑可靠的优点.利用DSP和IGBT等构成矩阵变换器实验装置,成功地实现了频率和电压的变换.&n...

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IGBT技术资料简介

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MetalOxideSemiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（GiantTransistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

相关技术领域： 315A 逆变 弧焊机 MOSFET 三相 直接串联 2010 11.3 SCR SCR-MOS-GTR-IGBT 481 KHZ