IGBT

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MetalOxideSemiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有（Me...

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IGBT 全部资料 362 份

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对IGBT 高频逆变电焊机进行了较为详细的分析和计算,对系统的构成、参数的选择、IGBT 的驱动与保护、高频变压器的设计等都作了分析和研究,并经过样机测试证明这些分析是切实可行的。随着科学技术...

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院介绍了全桥逆变电路的工作方式袁探讨了陨郧月栽的栅极特性及动态开关过程遥陨郧月栽栅原射极和栅原 集极间的寄生电容与其他分布参数的综合作用会对驱动波形产生不利影响遥栅极驱动电压必须有足够 快的上升和...

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励磁调节系统是同步发电机的重要组成部分，对同步发电机乃至电力系统的安全稳定运行有着重要影响。随着电力系统规模的不断增大，系统结构和运行方式日趋复杂，对同步发电机励磁控制系统运行的可靠性、稳定性、经济性...

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本文将介绍英飞凌的第三代采用沟槽栅场终止技术的 600V IGBT，即IGBT3在UPS中的应用。在介绍最新沟槽栅场终止技术的背景后，本文探讨如何充分利用IGBT静态与动态性能改进和175℃的最高结温...

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驱动1700V IGBT的几种高性能IC 选型设计:通过对几种常用的1700V IGBT 驱动专用集成电路进行详细的分析，对M579 系列和CONCEPT 公司的2SD 系列进行深入的讨论，给出了电气...

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针对IGBT逆变埋弧焊机设计了基于单片机80C196KC的控制系统,介绍了系统的软、硬件组成和控制原理.焊接电源采用PWM控制技术,通过电流反馈PI控制算法调节电源输出外特性.送丝及行走小车调速系统采...

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针对IGBT逆变埋弧焊机设计了基于单片机80C196KC的控制系统,介绍了系统软、硬件组成和控制原理.焊接电源采用PWM控制技术,通过电流反馈PI控制算法调节电源输出外特性;送丝及行走小车调速系统采用...

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富士IGBT模块应用手册2011中文版 FUJI ELECTRIC富士电机发挥创业以来积累的“自由操控电力”的电力电子技术优势，成为“环境，能源”领域举足轻重的国际企业。 FUJI ELECT...

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IGBT技术资料简介

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MetalOxideSemiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（GiantTransistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

相关技术领域： 大功率 高频逆变 全桥 600V 1700V 驱动 三相逆变器 Mosfet Igbt 单片机控制 逆变 2011