IGBT

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MetalOxideSemiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有（Me...

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IGBT 全部资料 362 份

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Si828x产品将隔离、栅极驱动器、故障检测保护和操作指示器集成到一个封装中，以驱动IGBT和MOSFET以及其他门控电源开关器件。大多数Si828x产品（Si8286除外）都有三个独立的输出引脚，提...

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·作　　者： 周志敏，周纪海，纪爱华 编著出 版 社： 人民邮电出版社出版时间： 2006-3-1 内容简介本书在介绍IGBT和IPM结构与特性的基础上，结合国内外电力电子器件的应用和发展趋势，全面系...

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随着焊接技术、控制技术以及计算机信息技术的发展，对于数字化焊机系统的研究已经成为热点，本文开展了对数字化IGBT逆变焊机控制系统的研究工作，设计了数字化逆变焊机的主电路和控制系统的硬件部分。 本文首先...

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一般的 IGBT 驱动器都规定了最大输出电流峰值，驱动器的输出电流即 IGBT 的栅极电流。在实际应 用中，这个电流峰值并不完全取决于驱动器，也取决于栅极电阻 Rg、栅极电容 Cg 等。它表征了驱动...

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文章分析了驱动和吸收电路对功率器件IGBT 开关过程的影响及其失效 原因,提出了应采取的措施。 关键词　IGBT 　驱动　吸收 中图分类号　TM133 　文献标识码　A 　　文章编号　1004 ...

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IGBT技术资料简介

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MetalOxideSemiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（GiantTransistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

相关技术领域： igbt 中频电源 驱动保护电路 si828x 驱动 mosfet 开关 MOS 开关器件 载波驱动 数字化 驱动器