IGBT

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MetalOxideSemiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有（Me...

共 362 份资源

IGBT 全部资料 362 份

PDF文档

基于高可靠性电力电子架构设计的IGBT驱动与保护电路方案，采用先进隔离技术与快速响应机制，确保系统在高压大功率场景下的稳定运行。适用于工业变频器、新能源等领域。...

1 次
PDF文档

难得一见的英飞凌汽车级IGBT门级驱动器技术资料，涵盖功能安全设计与电动混动系统应用，适合功率电子工程师深入研究。...

2 次
PDF文档

随着焊接技术、控制技术以及计算机信息技术的发展，对于数字化焊机系统的研究已经成为热点，本文开展了对数字化IGBT逆变焊机控制系统的研究工作，设计了数字化逆变焊机的主电路和控制系统的硬件部分。 本文首先...

56 次
PDF文档

·作　　者： 周志敏，周纪海，纪爱华 编著出 版 社： 人民邮电出版社出版时间： 2006-3-1 内容简介本书在介绍IGBT和IPM结构与特性的基础上，结合国内外电力电子器件的应用和发展趋势，全面系...

189 次

IGBT技术资料简介

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MetalOxideSemiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（GiantTransistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

相关技术领域： 模拟电路 原理及 IGBT驱动 电力电子 高压保护 隔离技术 英飞凌 功能安全 汽车电子 MOSFET SCR GTR