CMOS工艺中GG2NMOS结构ESD保护电路设计
CMOS工艺中GG2NMOS结构ESD保护电路设计:采用GG2NMOS 结构的ESD 保护电路的工作原理和对其进行的ESD 实验,提出了一种保护电路的栅耦合技术方案,并达到了预期效果. 通过实验可以看
ESD(Electro-Staticdischarge)的意思是“静电释放”。ESD是20世纪中期以来形成的以研究静电的产生、危害及静电防护等的学科。因此,国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD,中文名称为静电阻抗器。
CMOS工艺中GG2NMOS结构ESD保护电路设计:采用GG2NMOS 结构的ESD 保护电路的工作原理和对其进行的ESD 实验,提出了一种保护电路的栅耦合技术方案,并达到了预期效果. 通过实验可以看
TIDA-00629 是用于检查如何防止 CAN 收发器出现致命瞬态波形(例如 IEC ESD、IEC EFT 和 IEC 浪涌)的参考设计。该参考设计展示了通过在标准 CAN 总线收发器的总线上实施外部保护方案可实现的保护级别。
本文档为ESD测试相关的国际标准,IEC 61000-4-2 2001版本,包括空气放电和接触放电,内容涵盖测试方法,实验台的设置,以及相关模型参数的配置,如150 pF/330 Ω 和 330 pF/330 Ω 两种放电模块。
静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)是构成集成电路可靠性的主要因素之一,存在于生产到使用的每一个环节,并成为开发新一代工艺技术的难点之一,近年来,对ESD的研究也因而越来越受到重视,仿真工具在ESD领域的应用使...
随着集成电路及电子设备的广泛应用,人体静电放电的危害性日益引起人们的重视。首先介绍人体静电放电模型及测试方法,然后阐述几种新型集成化静电放电保护器件的原理与应用。关键词:ESD;模型;测试;E
硅ESD(SESD)保护器件可以防止电路因静电放电(ESD)事件而受 损。0201规格SESD器件的尺寸极小(0.6mm x 0.3mm x 0.3mm), 比上一代器件的面积小了近70%,在空间受到限制的应用中为设计人 员提供了极大...
静电放电(ESD)是集成电路(IC)中最重要的可靠性问题之一。工业调查表明大约有40%的IC失效与ESD/EOS(电过应力)有关。因此,研究并控制ESD是实现更好性能、更高可靠性IC的一个重要问题。随着IC器件的特征尺寸越来越小,ESD所造...
The Intersil family of high-speed, 15kV ESD-protecteddevices (HIN202E - HIN241E) offers the user
估算带宽:计算输入信号的单边功率谱密度(ESD);计算相对于特定值的ESD的最高和最低频率。