TE 用于高速信号防静电保护硅ESD器件

硅ESD(SESD)保护器件可以防止电路因静电放电(ESD)事件而受 损。0201规格SESD器件的尺寸极小(0.6mm x 0.3mm x 0.3mm)， 比上一代器件的面积小了近70%，在空间受到限制的应用中为设计人 员提供了极大的灵活性。 SESD0201C-006-058器件是一款0.6pF的双向超低电容器件，适 合保护高速数据线(如USB和HDMI)或低压天线端口。由于该器件具 有超低电容、低插入损耗(频率在3GHz以下时，均小于0.5dB)和电 容-频率线性程度高的特点，有助于降低信号衰减。 SESD0201C-120-058 (12pF)器件和SESD0102P1BN-0400-090 (4pF) 器件为高电容双向器件， 可用于低速通用接口， 如键 盘、电源按钮、扬声器和移动电子设备中的麦克风。无论 SESD0201C-006-058还是SESD0201C-120-058器件都可按 IEC61000-4-2 level 4标准提供具有8kV接触放电和15kV空气放电 保护；而SESD0201P1BN-0400-090器件可按IEC61000-4-2 level 4标准提供提供10kV接触放电和16kV空气放电保护。 该产品系列中还包括SESD0402S-005-054器件，这是一款具有0.5 pF典型电容的超低电容SOD-923 (0402规格封装)单向 器件。该器件具有符合IEC61000-4-2 level 4标准的10kV接触放电保护等级，可在USB和HDMI等数字应用中使用。 产品系列中还包括SESD0402P1BN-0450-090器件。这是一款高电容(4.5pF) 高电容SMD双向器件，可按IEC61000-4-2 level 4标准提供10kV接触放电和16kV空气放电保护。

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