CMOS器件抗静电措施的研究
由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效,对整机应用的可靠性影响太大,因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理,从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电...
由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效,对整机应用的可靠性影响太大,因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理,从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电...
闩锁效应是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管被触发导通,在电源和地之间存在一个低阻通路,大电流,导致电路无法正常工作,甚至烧毁电路...
开关在电路中起接通信号或断开信号的作用。最常见的可控开关是继电器,当给驱动继电器的驱动电路加高电平或低电平时,继电器就吸合或释放,其触点接通或断开电路。CMOS模拟开关是一种可控开关,它不象继电器那样...
模拟集成电路的设计与其说是一门技术,还不如说是一门艺术。它比数字集成电路设计需要更严格的分析和更丰富的直觉。严谨坚实的理论无疑是严格分析能力的基石,而设计者的实践经验无疑是诞生丰富直觉的源泉。这也正足...
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给...
设计了一种可在CMOS射频功率放大器中用于功率合成的宽带变压器。通过对变压器的并联和串联两种功率合成形式进行分析与比较,指出了匝数比、功率单元数目以及寄生电阻对变压器功率合成性能的影响;提出了一种...
TTL电平和CMOS电平总结...
采用纳瓦技术的8/14引脚闪存8位CMOS单片机 PIC12F635/PIC16F636/639数据手册 目录1.0 器件概述 2.0 存储器构成3.0 时钟源4.0 I/O 端口 5.0 Timer...
The CAT28LV64 is a low voltage, low power, CMOS Parallel EEPROM organized as 8K x 8−bits. It r...
The CAT25128 is a 128−Kb Serial CMOS EEPROM device internally organized as 16Kx8 bits. This fe...