一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给...
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给...
摘要:采用共源共栅运算放大器作为驱动,设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路,并在TSMC0.18Um CMOS工艺下,采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明:在-25耀115益温度...
该程序可以测量的电压误差为0.001V,精度高...
基于8051F实现数字电压表功能.用液晶作为显示界面,精度很高....
1参考电压需要足够精确,推荐使用外部高精准参考电压. 2如果PGA可调,增益系数一般是越小噪声越低. 3一般最好用到满量程,此时AD精度不浪费. 4如果有偏置,需要进行自校. 5请注意...
一种无运放的高电源抑制比基准电压源设计...
日常生活的电子产品和子系统变得越来越智能,这就需要其“大脑”(硅芯片)在面对现实环境中多种多样情况时,能够对各种可能最终影响系统行为和性能做出可预测和期望的反应。这时,基准电压源就出现在我们面前了。基...
ICI7135是4位双积分A/D转换芯片,可以转换输出±20000个数字量,有STB选通控制的BCD码输出,与微机接口十分方便.ICL7135具有精度高(相当于14位A/D转换),价格低的优点.其...
电压带隙基准一个在模拟电路中很重的一部分,本文论述了带隙基准的一个高阶补偿方法...
国产基准,相对精度较高,中文资料,长电科技...