一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计
介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在...
电源抑制技术资料
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电源抑制技术是电子设计中不可或缺的一环，专注于减少电源噪声对电路性能的影响。通过优化电路布局、选用合适元器件及采用滤波等方法，有效提升系统稳定性与信号纯净度。广泛应用于通信设备、医疗仪器、工业控制等领域，对于追求高精度测量和稳定工作的项目尤为重要。探索我们精心整理的5402个资源，深入学习如何构建更可靠、抗干扰性强的电子系统。
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介绍一种高电源抑制比带隙基准电路的设计与验证...
一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变...
一种高电源抑制比带隙基准电压源的设计
摘要：采用共源共栅运算放大器作为驱动，设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路，并在TSMC0.18Um CMOS工艺下，采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明：在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益，电源抑制比达到-100dB，电源电压在2.5耀4.5V...
一种无运放的高电源抑制比基准电压源设计
一种无运放的高电源抑制比基准电压源设计...
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