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摘要：应用X射线衍射仪的薄膜附件对热丝化学气相沉积金刚石厚膜的成核面和生长面进行分析，结果表明，金刚石厚膜的晶格常数从生长面到形核面沿深度方向是逐渐变小的。化学气相沉积金刚石初期生长的晶体存在大
采用过滤真空阴极直流弧源（Filtered Cathodic Vicuum Arc Deposition, FCVA）方法沉积超硬（>6000HV）超厚(微米级)的DLC/DLC多层薄膜。
采用EA-CVD(Electron Assisted Chemical Vapor Deposition)方法制备金刚石厚膜，在反应气体（CH4+H2）中添加乙醇，在保持其它条件不变的情况下研究
采用电子辅助化学气相沉积法(EA-CVD)制备掺氮金刚石薄膜，研究了不同氮气流量对金刚石膜的生长速率、表面形貌和膜品质的影响。实验发现，在较低的氮气流量下，金刚石膜的生长速率增加，在较高的氮气流
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摘要：应用等离子体浸没离子注入与沉积方法合成了磷掺杂的类金刚石（diamond like carbon，DLC）薄膜。结构分析表明磷以微米级岛状结构分散于DLC薄膜表层，P 的掺杂增加了DLC
由于金刚石与Si有较大的晶格失配度和表面能差，利用化学气相沉积（CVD）制备金刚石膜时，金刚石在镜面光滑的Si表面上成核率非常低。而负衬底偏压能够提高金刚石在镜面光滑的Si表面上的成核率，表明金