经济的快速发展使得人们越来越注重生活质量，对于有害气体的检测成为人们的迫切要求，我国气敏传感器发展迅速，但由于气敏传感器的高阻值特性及接口电路复杂等原因，气敏传感器测量装置发展缓慢。在了解气敏传感器的气敏机理及气敏传感器的工作原理的前提下，设计了一种新型的气体浓度测量装置，并将采集到的信号处理后通过无线传输设备传送。该装置以ARM7为内核的LPC2131 作为微处理器，利用其强大的数据计算处理能力及控制能力,设计出了显示气体浓度值的测量电路。此外由于因LPC2131 内部集成了多种硬件电路接口，有效地降低了成本，减小了装置体积。 在无线传输部分，采用挪威Nordic公司的单片射频收发器nRF403，nRF403工作在433或315MHz国际上通用的ISM频段,双工作频段可以自由切换,FSK 调制解调,采用直接数字合成DSS和锁相环稳频PLL 进行频率合成,频率稳定性好,发射数据时无方向性要求,在高速移动和振动等情况有抗干扰能力。本测量装置的设计主要包括硬件和软件两大部分。硬件部分由四部分组成：数据采集电路、ARM系统模块电路设计、无线收发电路模块、显示模块组成。软件部分的设计包括：通道选择程序设计、A/D转换程序设计、信号处理程序（算法）、无线收发程序、液晶模块程序设计、以及PC端应用程序设计。经过实际的测量，本装置可对外界气体浓度进行准确的测量，精度保持误差在1.5％以内。本装置具有高灵敏度、小型、简单、低耗等优点。
上传时间： 2013-04-24
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HT45F43 特性特性特性特性 MCU 特性：内建 2x OPAs & 2x Comparators, EEPROM, HIRC 4MHz + 32K LIRC，节省外部器件 传感器：电化学 Sensor（ME2-CO） 电源电压：9V 碱性电池 高音量蜂鸣器输出：（＞85DB） 待机电流：Typ.21uA, Max.27uA 低电压检测：7.5V 自测 / 校准功能 LED 显示：红、黄、绿三颗 LED 指示 使用 HT45F43 内建 OSC & Reset 电路，节省外部器件 使用 HT45F43 内建 OPA 进行 CO Sensor 信号放大，节 省外部器件 WATCHDOG 每 32 秒唤醒一次进行 CO 浓度侦测和电池电压侦测
上传时间： 2013-06-16
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提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。
上传时间： 2013-10-18
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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间： 2013-10-21
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看到不少网友对COOLMOS感兴趣，把自己收集整理的资料、个人理解发出来，与大家共享。个人理解不一定完全正确，仅供参考。COOLMOS（super junction）原理，与普通VDMOS的差异如下： 对于常规VDMOS器件结构，大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson就大了。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？
标签： COOLMOS
上传时间： 2014-12-23
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对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？ 对于常规VDMOS，反向耐压，主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结，对于一个PN结，耐压时主要靠的是耗尽区承受，耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积，也就是下图中的浅绿色部分，就是承受电压的大小。常规VDMOS，P body浓度要大于N EPI， PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散，所以此结构下，P body区域一侧，耗尽区扩展很小，基本对承压没有多大贡献，承压主要是P body－－N EPI在N型的一侧区域，这个区域的电场强度是逐渐变化的，越是靠近PN结面（a图的A结），电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。
上传时间： 2013-11-11
上传用户：小眼睛LSL
使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。
上传时间： 2013-10-23
上传用户：PresidentHuang
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量 研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。
上传时间： 2013-10-31
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N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下，不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降，得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线，该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBT结构，N+缓冲层浓度及厚度存在最优值，只要合理的选取可以有效地降低通态压降。
上传时间： 2013-11-12
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针对我国煤矿安全生产情况，提出了一种以ATmega16L单片机为核心的瓦斯监测报警系统设计方案。该系统采用LXK-3传感器检测矿井瓦斯浓度，利用ULN2803驱动处理后进行实时显示，同时使用nRF2401通过无线方式实现上、下位机间数据传输。当瓦斯浓度超限时，及时发出声光报警。
上传时间： 2013-10-16
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