本文对PWM全桥软开关直流变换器进行了研究。具体阐述了PWM全桥ZS软开关直流变换器的工作原理和软开关的实现条件,就基本的移相控制FB ZVS PWM变换器存在的问题给予分析并对两种改进方案进行了研究:1、能在全部工作范围内实现零电压开关的改进型全桥移相zvs-PWM DCDC变换器,文中通过对其开关过程的分析,得出实现全负载范围内零电压开关的条件。采用改进方案设计了一台48V~6 VDC/DC变换器,实验结果证明其比基本的 ZVS-PWM变换器具有更好的软开关性能。2、采用辅助网络的全桥移相 ZVZCS-PWM DCDC变换器,文中具体分析了其工作原理及变换器特性,并进行实验研究随着电力电子技术的发展,功率变换器在开关电源、不间断电源、CPU电源照明、电机驱动控制、感应加热、电网的无功补偿和谐波治理等众多领域得到日益广泛的应用,电力电子技术高频化的发展趋势使功率变换器的重量大大减轻体积大大减小,提高了产品的性能价格比,但采用传统的硬开关技术,开关损耗将随着开关频率的提高而成正比地增加,限制了开关的高频化提高功率开关器件本身的开关性能,可以减少开关损耗,另一方面,从变换器结构和控制上改善功率开关器件的开关性能,可以减少开关损耗。如缓冲技术、无损缓冲技术、软开关技术等软开关技术在减少功率开关器件的开关损耗方面效果比较好,理论上可使开关损耗减少为零。12软开关技术的原理和类型功率变换器通常采用PwM技术来实现能量的转换。硬开关技术在每次开关通断期间功率器件突然通断全部的负载电流,或者功率器件两端电压在开通时通过开关释放能量,这种方式的工作状况下必将造成比较大的开关损耗和开关应力,使开关频率不能做得很高。软开关技术是利用感性和容性元件的谐振原理,在导通前使功率开关器件两端的电压降为零,而关断时先使功率开关器件中电流下降到零,实现功率开关器件的零损耗开通和关断,并且减少开关应力。
标签: 移相全桥
上传时间: 2022-03-29
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感应加热电源运行过程中由于负载的工作特性随温度变化,为了提高电能传输到负载的效率,保证负载工作在串联谐振状态,需要实现对负载的频率跟踪.通过对负载的频率跟踪有效地减少了功率开关器件的开关损耗,实现了零电压开通.本文首先介绍了串联谐振的感应加热电源的主电路结构,采用IGBT作为功率开关器件.其次介绍了锁相环电路,阐述了其结构和工作原理.最后提出了基于SG3525的频率跟踪电路,经过实验证明此电路工作稳定、可靠,现以投入到实际产品中.
上传时间: 2022-04-21
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1. 目的 规范产品的PCB焊盘设计工艺, 规定PCB焊盘设计工艺的相关参数,使得PCB 的设计满足可生产性、可测试性、安规、EMC、EMI 等的技术规范要求,在产品设计过程中构建产品的工艺、技术、质量、成本优势。 2. 适用范围本规范适用于空调类电子产品的PCB 工艺设计,运用于但不限于PCB 的设计、PCB 批产工艺审查、单板工艺审查等活动。本规范之前的相关标准、规范的内容如与本规范的规定相抵触的,以本规范为准3.引用/参考标准或资料TS-S0902010001 <〈信息技术设备PCB 安规设计规范〉>TS—SOE0199001 <〈电子设备的强迫风冷热设计规范〉〉TS—SOE0199002 〈<电子设备的自然冷却热设计规范>>IEC60194 〈<印制板设计、制造与组装术语与定义>> (Printed Circuit Board designmanufacture and assembly-terms and definitions)IPC—A-600F 〈<印制板的验收条件>〉 (Acceptably of printed board)IEC609504。规范内容4。1焊盘的定义 通孔焊盘的外层形状通常为圆形、方形或椭圆形。具体尺寸定义详述如下,名词定义如图所示。1) 孔径尺寸:若实物管脚为圆形:孔径尺寸(直径)=实际管脚直径+0。20∽0。30mm(8。0∽12。0MIL)左右;若实物管脚为方形或矩形:孔径尺寸(直径)=实际管脚对角线的尺寸+0.10∽0。20mm(4.0∽8。0MIL)左右。2) 焊盘尺寸: 常规焊盘尺寸=孔径尺寸(直径)+0.50mm(20.0 MIL)左右.…………
标签: PCB
上传时间: 2022-05-24
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电力电子技术包括功率半导体器件与1C技术、功率变换技术及控制技术等几个方面,其中电力电子器件是电力电子技术的重要基础,也是电力电子技术发展的“龙头"。从1958年美国通用电气(GE)公司研制出世界上第一个工业用普通晶闸管开始,电能的变换和控制从旋转的变流机组和静止的离子变流器进入由电力电子器件构成的变流器时代,这标志着电力电子技术的诞生。到了70年代,晶闸管开始形成由低压小电流到高压大电流的系列产品。同时,非对称晶闸管、逆导晶闸管、双向品闸管、光控晶闸管等品闸管派生器件相继问世,广泛应用于各种变流装置。由于它们具有体积小、重量轻、功耗小、效率高、响应快等优点,其研制及应用得到了飞速发展。由于普通晶闸管不能自关断,属于半控型器件,因而被称作第一代电力电子器件。在实际需要的推动下,随着理论研究和工艺水平的不断提高,电力电子器件在容量和类型等方面得到了很大发展,先后出现了GTR,GTO、功率MOSET等自关断、全控型器件,被称为第二代电力电子器件。近年来,电力电子器件正朝着复合化、模块化及功率集成的方向发展,如IGPT,MCT,HVIC等就是这种发展的产物
上传时间: 2022-06-19
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极型品体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFEt高输入阻抗和GT的低导通压降两方面的优点。IGB综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。成为功率半导体器件发展的主流,广泛应用于风电、光伏、电动汽车、智能电网等行业中。在电动汽车行业中,电机控制器、辅助动力系统,电动空调中,IGBT有着广泛的使用,大功率IGB多应用于电机控制器中,由于电动汽车电机控制器工作环境干扰比较大,IGBT的门极分布电容及实际开关中存在的米勒效应等寄生参数的直接影响到驱动电路的可靠性1电机控制器在使用过程中,在过流、短路和过压的情况下要对1GBT实行比较完善的保护。过流会引起电机控制器的温度上升,可通过温度传感器来进行检测,并由相应的电路来实现保护;过压一般发生在IGBT关断时,较大的di/dt会在寄生电感上产生了较高的电压,可通过采用缓冲电路来钳制,或者适当降低开关速率。短路故障发生后瞬时就会产生极大的电流,很快就会损坏1GBT,主控制板的过流保护根本来不及,必须由硬件电路控制驱动电路瞬间加以保护。因此驱动器的设计过程中,保护功能设计得是否完善,对系统的安全运行尤其重要。
上传时间: 2022-06-22
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IGBT是MOSFET和GTR的复合器件,它具有开关速度快、热稳定性好、驱动功率小和驱动电路简单的特点,又具有通态压降小、耐压高和承受电流大等优点.IGBT作为主流的功率输出器件,特别是在大功率的场合,已经被广泛的应用于各个领域。本文在介绍了1GBT结构、工作特性的基础上,针对风电变流器实验平台和岸电电源的实际应用,选择了各自的IGBT模块。然后对IGBT的驱动电路进行了深入地研究,详细地说明了IGBT对栅极驱动的一些特殊要求及应该满足的条件。接着对三种典型的驱动模块进行了分析,同时分别针对风电变流器实验平台和岸电电源,设计了三菱的M57962AL和Concept的2SD315A驱动模块的外围驱动电路。对于大功率的设备,电路中经常会遇到过流、过压、过温的问题,因此必要的保护措施是必不可少的。针对上述问题,本文分析了出现各种状况的原因,并给出了各自的解决方案:采用分散式和集中式过流保护相结合的方法实现过电流保护;采用缓存吸收电路及采样检测电路以防止过电压的出现;通过选择正确的散热器及利用铂电阻的特性来实施检测温度,从而使电路能够更好地可靠运行。同时,为了满足今后1.5MW风电变流器和试验电源等更大功率设备的需求,在性价比上更倾向于采用IGBT模块串、并联的方式来取代高耐压、大电流的单管1GBT.本文就同一桥臂的IGBT串联不均压,并联不均流的问题进行了阐述,并给出了相应的解决方案。最后针对上述的不平衡情形,采用PSpice对其进行仿真模拟,并通过加入均压、均流电路后的仿真结果,有效地说明了电路的可行性。
上传时间: 2022-06-22
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小信号放大器的设计 1. 放大器是射频/微波系统的必不可少的部件。 2. 放大器有低噪声、小信号、高增益、中功率、大功率等。 3. 放大器按工作点分有A、AB、B、C、D…等类型。 4. 放大器指标有:频率范围、动态范围、增益、噪声系数、工作效率、1dB压缩点、三阶交调等。
上传时间: 2016-02-10
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本文用VHDL在CPLD器件上实现一种8 b数字频率计测频系统,能够用十进制数码显示被测信号的频率,不仅能够测量正弦波、方波和三角波等信号的频率,而且还能对其他多种物理量进行测量。具有体积小、可靠性高、功耗低的特点。
上传时间: 2013-12-18
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采用FPGA实现色彩空间转换R’G’B’ to Y’CbCr的VHDL和verilog源代码,支持xilinx的各种器件.
上传时间: 2013-12-12
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该文档为A、B、AB、D类音频功率放大器简介文档,是一份很不错的参考资料,具有较高参考价值,感兴趣的可以下载看看………………
上传时间: 2021-11-28
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