1.1 什么是整流电路整流电路（rectifying circuit）把交流电能转换为直流电能的电路。大多数整流电路由变压器、整流主电路和滤波器等组成。它在直流电动机的调速、发电机的励磁调节、电解、电镀等领域得到广泛应用。整流电路通常由主电路、滤波器和变压器组成，20世纪70年代以后，主电路多用硅整流二极管和晶闸管组成。滤波器接在主电路与负载之间，用于滤除脉动直流电压中的交流成分。变压器设置与否视具体情况而定。变压器的作用是实现交流输入电压与直流输出电压间的匹配以及交流电网与整流电路之间的电隔离。可以从各种角度对整流电路进行分类，主要的分类方法有：按组成的期间可分为不可控，半控，全控三种；按电路的结构可分为桥式电路和零式电路：按交流输入相数分为单相电路和多相电路；按变压器二次侧电流的方向是单向还是双向，又可分为单拍电路和双拍电路1.2整流电路的发展与应用电力电子器件的发展对电力电子的发展起着决定性的作用，因此不管是整流器还是电力电子技术的发展都是以电力电子器件的发展为纲的，1947年美国贝尔实验室发明了晶体管，引发了电子技术的一次革命：1957年美国通用公司研制了第一个品闸管，标志着电力电子技术的诞生：70年代后期，以门极可关断晶闸管（GTO）、电力双极型晶体管（BJT）和电力场效应晶体管（power-MOSFET）为代表的全控型器件迅速发展，把电力电子技术推上一个全新的阶段：80年代后期，以绝缘极双极型品体管（IGBT）为代表的复合型器件异军突起，成为了现代电力电子技术的主导器件。另外，采用全控型器件的电路的主要控制方式为PWM脉宽调制式，后来，又把驱动，控制，保护电路和功率器件集成在一起，构成功率集成电路（PIC），随着全控型电力电子器件的发展，电力电电路的工作频率也不断提高。同时。电力电子器件的开关损耗也随之增大，为了减小开关损耗，软开关技术便应运而生，零电压开关（ZVS）和零电流开关（ZCS）把电力电子技术和整流电路的发展推向了新的高潮。
标签： 整流电路
上传时间： 2022-06-18
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为了满足一些重要用电设备的连续供电，对电网供电提出了更高的要求。为此，引入一种新型UPS是不间断电源（uninterruptible power system）的英文简称，是能够提供持续、稳定、不间断的电源供应的重要外部设备。UPS先将交流电直流成直流电，一路给蓄电池充电，一路经逆变器变成恒压恒频的交流电，不论是市电供电还是断电由电池供电，总是通过逆变系统提供电力，因而市电停电或来电时无任何转换间断，市电的干扰也完全不影响到UPS的输出端，另外，UPS提供的电力为纯净的正弦波交流电，适用的负载范围宽，可以为多种精密用电设备提供稳定的不间断电源，此外，UPS的优点还在于它的零转换时间以及高质量的输出电源品质，因此它更适合于一些关键性的应用场合.UPS由于其工作方式是先对电池充电，然后再由逆变器将电池的电能逆变成交流，因此在电能的转化过程中有一部分电能将被损失掉。电子技术是根据电子学的原理，运用电子器件设计和制造某种特定功能的电路以解决实际问题的科学，包括信息电子技术和电力电子技术两大分支。信息电子技术包括Analog（模拟）电子技术和Digital（数字）电子技术。电子技术是对电子信号进行处理的技术，处理的方式主要有：信号的发生、放大、滤波、转换。现代电力电子技术的发展方向，是从以低频技术处理问题为主的传统电力电子学，向以高频技术处理问题为主的现代电力电子学方向转变。电力电子技术起始于五十年代末六十年代初的硅整流器件，其发展先后经历了整流器时代、逆变器时代和变频器时代，并促进了电力电子技术在许多新领域的应用。八十年代末期和九十年代初期发展起来的、以功率MOSFET和IGBT为代表的、集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件，表明传统电力电子技术已经进入现代电力电子时代。
标签： UPS电源
上传时间： 2022-06-19
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1引言有要发光二极管（OLED）具有低驱动电压、宽温工作、主动发光、响应速度快和视角宽等优点]，其作为全彩显示器件，与LCD相比，具有更简单的工艺和更低的成本。近年，单色和局域色的OLED显示屏已有较多报道~1，并推出了全彩OLED显示屏~9]。本文研制了尺寸为1.9、分辨率为128（×3）×160的全彩OLED屏。在目前报道的同等或以下尺寸的采用无源矩阵（PM）驱动的全彩OLED屏中，该屏的分辨率处于较高水平。2全彩OLED屏2.1全彩技术的实现图1是5种实现全彩OLED显示屏技术的示意图。本文采用（a）所示的平面结构式，每个全彩像素包括红、绿和蓝3个子像素，利用空间混色实现彩色。这种技术的难点是在制作全彩OLED时，需要将红、绿和蓝OLED的发光层（EML）材料分隔开01。屏的最高分辨率不仅受限于机械掩模制作的公差，还受限于在器件制作工艺过程中机械掩模与ITO基板玻璃的对准误差。2.2P-OLED屏的驱动技术OLFD属于电流型器件，其发光亮度与驱动电流成正比，故OLED均采用恒流源驱动。由于OLED自身较高的寄生电容（20~30pF/pixel）和ITO电极引线的电阻（几～几109/口形成的电压降，对恒流源的性能提出了较高的要求，例如可提供高达~30V的电压。为了实现多灰度显示，电流必须可程控。lare公司为了精确控制每个OLED子像素的发光亮度，提出了预充电方案]。根据有无开关和驱动薄膜晶体管的存在，可将矩阵式OLED的驱动可分为P10l和有源矩阵AM112种。PM驱动的显示器件由于制作工艺比AM要简单得多，且成本低廉，故在小尺寸的显示器件上得到了广泛应用。PM驱动电路如图2所示。
标签： oled
上传时间： 2022-06-24
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触摸控制技术又可分为触摸屏（Touch Screen）技术和触摸按键（TouchKey）技术.在触摸按键技术方面，目前主要可分为电阻式触摸按键与电容式感应按键.由于电阻式的触摸按键需要在设备表面贴一张触摸电阻薄膜，其耐用性较低"；而电容感应按键技术具有在非金属操作面板上无须开孔处理、防水防污、易清洁、无机械开关磨损而寿命长等优点.近几年随着苹果公司将电容触摸感应技术从笔记本电脑引用到iPod后，电容触摸感应热浪正席卷几乎所有电子产品，从笔记本电脑、智能电话、PDA、游戏机等手持设备，到LCDTV、DVD等消费电子产品，再到洗衣机、空调、冰箱、热水器、电磁炉以及咖啡壶等大小家电，无不以加入电容触摸感应为新的卖点[l.目前，世界知名电子元件供应商均加大了对电容触摸按键的应用研究，并推出众多的专业芯片，有专用电容感应按键类的全ASIC，也有众多基于MCU集成类的IC.但这些芯片价格较高，在一些按键数量少、成本要求低的电路中很难得到运用.另外，使用这些集成类IC，很难做到所选资源恰好等于使用的情况，存在资源的浪费情况.而且对于升级成熟产品的机械式按键，还存在变更原MCU代码的风险.同时，目前，对于电容式触摸按键的介绍大多也停留在基于电容量测量的原理上1笔者结合电容感应按键的原理，设计了一种用MCU的A/D口实现电容触摸按键的低成本电路
上传时间： 2022-06-24
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本文主要超薄芯片的背面金属化中的一些问题，阐述了两种主要的背面金属化工艺的建立，并解决了这两个工艺中关键问题，使得工艺获得好的成品率，提高了产品的可靠性，实现了大规模量产。流程（一）介绍了一种通过技术转移在上海先进半导体制造有限公司（ASMC）开发的一种特殊工艺，工艺采用特殊背面去应力工艺，通过机械应力和背银沾污的控制，将背面金属和硅片的黏附力和金硅接触电阻大大改善。论文同时阐述了一种自创的检验黏附力的方法，通过这种方法的监控，大幅度提高了产品良率，本论文的研究课题来源于企业的大规模生产实践，对于同类的低压低导通电阻VDMOS产品有实用的参考意义。流程（二）讨论了在半导体器件中应用最为广泛的金-硅合金工艺的失效模式及其解决办法。并介绍了我公司独创的刻蚀-淀积-合金以及应力控制同时完成的方案。通过这种技术，使得金硅合金质量得到大步的提升，并同时大大减少了背金工艺中的碎片问题，为企业获得了很好的效益。
上传时间： 2022-06-26
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本书简要介绍了现代传感技术及检测技术的概况，阐明了动态测量和其他检测理论及其应用，详细论述了各种传感器的结构、原理。其中第一章为传感技术概况。第二章论述了硅传感器与智能传感器；第三章论述了光与辐射传感器及应用；笫四章论述了各种光纤传感器的原理及其新成果；第五、第六章介绍了近年研究热点---气敏传感器和离子敏传感器。根据传感器在检测技术中的地位 在本书中用较大的篇幅来介绍传感新理论和新技术。内容上注意突出原理性、系统性、层次性和渐进性。
标签： 传感技术
上传时间： 2022-07-06
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本书是纳米氧化钛光催化材料及应用的一个专著。书中从氧化钛晶体结构和光催化基本原理入手，深入浅出地讨论了纳米氧化钛品晶相、能带结构和谱学特性等多种与材料及光催化活性密切相关的科学问题。用较多篇幅介绍了多种制备氧化钛纳米晶薄膜、介孔材料上修饰氧化认纳米晶、骨架为结晶态的氧化钛及氧化钛复合光催化材料的方法以及如何通过控制合成条件制备高活性氧化钛光催化材料。书中还结合实例介绍了光催化技术及氧化仗光催化材料在污水处理窄气净化、太阳能利用抗菌防雾、自清洁功能等方面的应用技术。本书对从事纳米氧化怯光催化材料制备和应用研究的科技工作者有重要参考价值。
标签： 光催化材料
上传时间： 2022-07-10
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日常生活的电子产品和子系统变得越来越智能，这就需要其“大脑”（硅芯片）在面对现实环境中多种多样情况时，能够对各种可能最终影响系统行为和性能做出可预测和期望的反应。这时，基准电压源就出现在我们面前了。基准电压源是一种精密的器件，专门设计用来维持恒定的输出电压，即使在环境温度或者电源电压等参数变化的情况下也一样。基准电压源其精度之高，它能用于除数据转换器之外还能用于其他应用场合。你将在本文档中看到其应用的范围表明了，基准电压虽然不是一个新的概念，但它们是系统设计继续向前推进的一个组成部分。本文对基准电压源作了综合的概述，包括基础知识和设计应技巧。第一章重点介绍基准电压源的基本特征。作者探讨了在一定情况下，电源设计人员可能需要从一个拓扑结构中获得某些特性，同时利用另一个拓扑的优点。第二章研究了基准电压源性能和数据转换器的设计原则。第三章也是最后一章，讨论了基准电压源的灵活应用，如低漂移直流基准电压和电流源。
上传时间： 2022-07-11
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英飞凌EiceDRIVER门极驱动芯片选型指南2019门极驱动芯片相当于控制信号(数字或模拟控制器)与功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之间的接口。集成的门极驱动解决方案有助于您降低设计复杂度，缩短开发时间，节省用料(BOM)及电路板空间，相较于分立的方式实现的门极驱动解决方案，可提高方案的可靠度。每一个功率器件都需要一个门极驱动，同时每一个门极驱动都需要一个功率器件。英飞凌提供一系列拥有各种结构类型、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项的驱动芯片产品。这些灵活的门极驱动芯片是英飞凌分立式器件和模块——包括硅MOSFET(CoolMOS™、OptiMOS™和StrongIRFET™)和碳化硅MOSFET(CoolSiC™)、氮化镓HEMT(CoolGaN™)，或者作为集成功率模块的一部分(CIPOS™ IPM和iMOTION™ smart IPM)——最完美的搭档。
标签： 门极驱动
上传时间： 2022-07-16
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三极管8050是非常常见的NPN型晶体三极管，在各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，主要用于高频放大。也可用作开关电路。类型:开关型;极性:NPN;材料:硅;8050三极管（SOT-23封装）管脚图最大集电极电流(A):0.5 A;直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集电极-发射极电压（VCEO）:25; [1] 特征频率:150 MHzPE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *KMC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
上传时间： 2022-07-18
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